[發明專利]淺溝槽隔離結構的制備方法有效
| 申請號： | 201810122972.6 | 申請日： | 2018-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN110120364B | 公開（公告）日： | 2021-10-15 |
| 發明（設計）人： | 孫曉峰;秦仁剛;盛拓 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 制備 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成第二介質層；
刻蝕所述第二介質層和所述半導體襯底，以形成隔離槽；
在所述隔離槽底部和側壁形成第三介質層；
在所述第二介質層表面和所述第三介質層表面形成第四介質層，所述第四介質層的致密度大于所述第三介質層的致密度；所述第四介質層包括氮化硅膜或氮氧化硅膜；所述第四介質層厚度在之間；
在所述隔離槽中沉積絕緣介質，以形成淺溝槽隔離結構。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，在所述第二介質層表面和所述第三介質層表面形成第四介質層具體包括：
利用爐管淀積或化學氣相淀積的方法在所述第二介質層表面和所述第三介質層表面生成第四介質層。
3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，在所述隔離槽底部和側壁生成第三介質層之前，還包括步驟：
對所述第二介質層進行刻蝕，以露出所述半導體襯底的有源區拐角。
4.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成第二介質層的步驟包括：
在所述半導體襯底上形成第一介質層；
在所述第一介質層上形成所述第二介質層。
5.根據權利要求4所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述形成淺溝槽隔離結構的步驟之后，還包括去除所述第一介質層和所述第二介質層，然后在所述半導體襯底上形成氧化硅犧牲層的步驟，所述氧化硅犧牲層作為阱區注入的保護層。
6.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述隔離槽的深度為0.3～0.5μm，角度在80°～88°之間。
7.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述第二介質層厚度在之間。
8.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，所述第四介質層厚度為
9.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，對所述第二介質層進行刻蝕，刻蝕寬度在之間。
10.根據權利 要求1所述的淺溝槽隔離結構的制備方法，其特征在于，在所述隔離槽中沉積絕緣介質的步驟是采用等離子體化學氣相淀積工藝，所述絕緣介質為氧化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
