[發(fā)明專利]隔離結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810119512.8
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN110120363B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林杰;徐鸞
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供有源區(qū)；

在所述有源區(qū)上形成前端材料層；

圖案化所述前端材料層形成開口，所述開口中形成有殘留物；

以所述開口為基準(zhǔn)第一次刻蝕所述有源區(qū)形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述殘留物下方；

減小所述凸起的寬度，并去除所述殘留物；

以所述初始凹槽為基準(zhǔn)第二次刻蝕所述有源區(qū)形成隔離凹槽；以及

在所述隔離凹槽中形成隔離結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，減小所述凸起的寬度，并去除所述殘留物的步驟包括：

在氧氣氛圍下對所述初始凹槽進(jìn)行處理，以在所述初始凹槽的底壁、側(cè)壁及所述凸起外壁上形成氧化層；以及

進(jìn)行濕法清洗。

3.如權(quán)利要求2所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在氧氣氛圍下對所述初始凹槽進(jìn)行處理時，溫度700～1000攝氏度，處理時間2～5小時。

4.如權(quán)利要求2所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用氫氟酸和氟化銨的混合溶液進(jìn)行清洗以去除所述氧化層及所述殘留物。

5.如權(quán)利要求2所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在氧氣氛圍下對所述初始凹槽進(jìn)行處理之前，還包括：

采用等離子體轟擊所述凸起。

6.如權(quán)利要求5所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述等離子體包括氬離子，轟擊時間為1s～20s。

7.如權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蝕的深度為大于0小于等于

8.如權(quán)利要求1或7所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二次刻蝕的深度為大于0小于等于

9.如權(quán)利要求1所述的隔離結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)的上表面與所述有源區(qū)的上表面齊平。

10.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供有源區(qū)；

在所述有源區(qū)上形成前端材料層；

圖案化所述前端材料層形成開口，所述開口中形成有殘留物；

以所述開口為基準(zhǔn)第一次刻蝕所述有源區(qū)形成初始凹槽，所述初始凹槽中形成有凸起，所述凸起位于所述殘留物下方；

減小所述凸起的寬度，并去除所述殘留物；

以所述初始凹槽為基準(zhǔn)第二次刻蝕所述有源區(qū)形成隔離凹槽；

在所述隔離凹槽中形成隔離結(jié)構(gòu)；以及

在所述隔離結(jié)構(gòu)上形成功能層。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述功能層的材料包括多晶硅。