[發(fā)明專利]圖形優(yōu)化方法及掩膜版制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810119511.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110119063B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王健;杜杳雋;溫永明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/36 | 分類號(hào): | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖形 優(yōu)化 方法 掩膜版 制備 | ||
1.一種圖形優(yōu)化方法,其特征在于,包括:
提供待優(yōu)化圖形,所述待優(yōu)化圖形包括第一圖形和第二圖形,所述第一圖形和第二圖形的大小不相同,所述第一圖形的可調(diào)整性小于所述第二圖形的可調(diào)整性;
以所述第一圖形的目標(biāo)圖形為目標(biāo),對(duì)所述第一圖形和第二圖形進(jìn)行OPC處理,縮小所述第一圖形和第二圖形各自的寬度,獲得初步的第一圖形和初步的第二圖形;以及
以所述第二圖形的目標(biāo)圖形為目標(biāo),對(duì)所述初步的第二圖形進(jìn)行OPC處理,增大所述初步的第二圖形的寬度,進(jìn)而對(duì)所述初步的第一圖形進(jìn)行OPC處理,縮小所述初步的第一圖形的寬度,獲得最終的第一圖形和最終的第二圖形,所述最終的第一圖形的寬度大于掩膜版的最小尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述待優(yōu)化圖形包括多個(gè)間隔且重復(fù)排列的第一圖形和第二圖形。
3.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述第一圖形為有源區(qū)上結(jié)構(gòu)的圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述第一圖形為柵極圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述初步的第一圖形在曝光后符合標(biāo)準(zhǔn)。
6.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,對(duì)所述第一圖形和第二圖形進(jìn)行OPC處理,縮小所述第一圖形和第二圖形各自的寬度,獲得初步的第一圖形和初步的第二圖形的過(guò)程包括:
將寬度小于所述第一圖形和第二圖形的輔助圖形添加至所述第一圖形和第二圖形中,獲得初步的圖形邊界,以所述初步的圖形邊界構(gòu)成所述初步的第一圖形和初步的第二圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,對(duì)所述初步的第二圖形進(jìn)行OPC處理,同時(shí)對(duì)所述初步的第一圖形進(jìn)行OPC處理,獲得最終的第一圖形和最終的第二圖形的過(guò)程包括:
通過(guò)在初步的第二圖形中調(diào)整輔助圖形的位置或新增輔助圖形,以增大所述初步的第二圖形的寬度;通過(guò)在初步的第一圖形中調(diào)整輔助圖形的位置或新增輔助圖形,以縮小所述初步的第一圖形的寬度;進(jìn)行一次以上的上述過(guò)程以獲得最終的第一圖形邊界和最終的第二圖形邊界;以所述最終的第一圖形邊界為基準(zhǔn)將所述輔助圖形和所述第一圖形擬合為所述最終的第一圖形;以所述最終的第二圖形邊界為基準(zhǔn)將所述輔助圖形和所述第二圖形擬合為所述最終的第二圖形。
8.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述第一圖形和第二圖形皆呈矩形。
9.如權(quán)利要求8所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,所述OPC處理還包括對(duì)待優(yōu)化圖形端部的擴(kuò)展。
10.如權(quán)利要求1所述的圖形優(yōu)化方法,其特征在于,對(duì)所述初步的第一圖形進(jìn)行OPC處理的可調(diào)節(jié)范圍為1nm~10nm。
11.一種掩膜版制造方法,其特征在于,利用如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的圖形優(yōu)化方法。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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