[發(fā)明專利]圖形優(yōu)化方法及掩膜版的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810119509.6
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN110119065B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設計）人: 杜杳雋;張婉娟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/68
• 分類號: G03F1/68
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發(fā)明揭示了一種圖形優(yōu)化方法，本發(fā)明提供的圖形優(yōu)化方法中，所述圖形優(yōu)化方法包括：提供待優(yōu)化圖形，包括第一圖形和第二圖形，所述第一圖形的可調整性小于所述第二圖形的可調整性；以所述第二圖形為基準，為所述第一圖形添加第一散射條；以及以所述第一圖形和所述第一散射條為基準，為所述第二圖形添加第二散射條。由此，改變了添加散射條時的基準，使得可調整性小的第一圖形優(yōu)先添加散射條，如此使得添加的散射條能夠更好的發(fā)揮作用，有效改善圖形密度，進而采用該方法制備的掩膜版，可以提高圖形分辨率，確保較佳的質量。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及一種圖形優(yōu)化方法及掩膜版的制備方法。

背景技術

光刻技術是半導體制造加工過程中的關鍵技術。降低集成電路的線寬在很大程度上依賴于光刻精度的提高，以決定是否可以制作出更為精密的圖形。

在光刻工藝進入深亞微米甚至更精密的尺寸的情況下，在將圖形從掩膜版上轉移至襯底上時，在圖形相對稀疏的部分區(qū)域，會受到光的衍射等現(xiàn)象的影響而不利于正確成像，例如，會使得成像變小。顯然的，這種變小的成像是不希望產(chǎn)生的。

基于此，業(yè)界引入散射條(scattering bar，SB)，利用散射條可以對光進行散射，進而改善甚至消除衍射現(xiàn)象，改變光強分布，提高圖形的分辨率。

但是，隨著光刻工藝精密度的不斷提高，散射條與周邊圖形的關系需求愈發(fā)苛刻，例如為了追求相鄰圖形之間散射條符合設計規(guī)則，反而會使得圖形與散射條之間的間距變大，從而使得圖形曝光后質量變差。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種圖形優(yōu)化方法及掩膜版的制備方法，優(yōu)化散射條的功能，提高曝光后的圖形分辨率。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種圖形優(yōu)化方法，包括：

提供待優(yōu)化圖形，所述待優(yōu)化圖形包括第一圖形和第二圖形，所述第一圖形的可調整性小于所述第二圖形的可調整性；

以所述第二圖形為基準，為所述第一圖形添加第一散射條；以及

以所述第一圖形和所述第一散射條為基準，為所述第二圖形添加第二散射條。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，為所述第二圖形添加第二散射條之后，所述圖形優(yōu)化方法還包括：

調整所述第二圖形的大小。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第二圖形為矩形。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，調整所述第二圖形的大小為使得所述矩形的至少一個邊增大1-10nm。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第一圖形為矩形。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第一圖形和第二圖形的寬度皆大于曝光光源的最小成像尺寸。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第一圖形和第二圖形之間間距相對較大處相比所述第一圖形和第二圖形之間間距相對較小處，所述第一散射條的長度較大或更密集。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第一散射條的長度方向平行或垂直于所述第一圖形和第二圖形的排布方向。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第二圖形周邊空間相對較大處相比所述第二圖形周邊空間相對較小處，所述第二散射條的長度較大或更密集。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第二散射條的長度方向平行或垂直于所述第一圖形和第二圖形的排布方向。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第一圖形為靜態(tài)存儲區(qū)邊界圖形。

可選的，對于所述的圖形優(yōu)化方法，所述第二圖形為相鄰于所述第一圖形的邏輯區(qū)圖形。