[發明專利]圖形優化方法及掩膜版的制備方法有效
| 申請號： | 201810119509.6 | 申請日： | 2018-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN110119065B | 公開（公告）日： | 2022-08-26 |
| 發明（設計）人： | 杜杳雋;張婉娟 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/68 | 分類號： | G03F1/68 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 優化 方法 掩膜版 制備 | ||
1.一種圖形優化方法，其特征在于，所述圖形優化方法包括：
提供待優化圖形，所述待優化圖形包括第一圖形和第二圖形，所述第一圖形的可調整性小于所述第二圖形的可調整性，且所述第二圖形位于相鄰兩個第一圖形之間；
以所述第二圖形為基準，為所述第一圖形添加第一散射條；以及
以所述第一圖形和所述第一散射條為基準，為所述第二圖形添加第二散射條，所述第一散射條和所述第二散射條均為條狀。
2.如權利要求1所述的圖形優化方法，其特征在于，為所述第二圖形添加第二散射條之后，所述圖形優化方法還包括：
調整所述第二圖形的大小。
3.如權利要求2所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第二圖形為矩形。
4.如權利要求3所述的圖形優化方法，其特征在于，調整所述第二圖形的大小為使得所述矩形的至少一個邊增大1-10nm。
5.如權利要求3所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一圖形為矩形。
6.如權利要求5所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一圖形和第二圖形的寬度皆大于曝光光源的最小成像尺寸。
7.如權利要求1所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一圖形和第二圖形之間間距相對較大處相比所述第一圖形和第二圖形之間間距相對較小處，所述第一散射條的長度較大或更密集。
8.如權利要求7所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一散射條的長度方向平行或垂直于所述第一圖形和第二圖形的排布方向。
9.如權利要求1所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第二圖形周邊空間相對較大處相比所述第二圖形周邊空間相對較小處，所述第二散射條的長度較大或更密集。
10.如權利要求9所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第二散射條的長度方向平行或垂直于所述第一圖形和第二圖形的排布方向。
11.如權利要求1所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一圖形為靜態存儲區邊界圖形。
12.如權利要求11所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第二圖形為相鄰于所述第一圖形的邏輯區圖形。
13.如權利要求12所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第二圖形位于兩組第一圖形之間。
14.如權利要求1所述的圖形優化方法，其特征在于，所述第一散射條和第二散射條的寬度皆小于曝光光源的最小成像尺寸。
15.一種掩膜版的制備方法，其特征在于，采用如權利要求1-14中任意一項所述的圖形優化方法。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
