[發(fā)明專利]一種量子點LED和制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810117797.1
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN108461610B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樊勇
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/58;H01L33/50
• 代理公司: 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

本發(fā)明提供一種量子點LED和制備方法，其中，量子點LED包括：并排且間隔設(shè)置的一對電極；設(shè)置于所述電極上并與所述電極電連接的倒裝LED芯片；設(shè)置于所述倒裝LED芯片上的量子點夾層；包覆所述電極、所述倒裝LED芯片、所述量子點夾層的封裝層；圍繞所述封裝層四周的白膠層。本發(fā)明通過設(shè)置量子點夾層，能夠阻擋外界水氧對量子點層與LED芯片的侵襲，為量子點提供了一個隔絕水氧的環(huán)境，有利于提高量子點的發(fā)光效率與使用壽命；設(shè)置微納結(jié)構(gòu)的有機(jī)層，提升出光效率；采用原子層沉積方式形成無機(jī)封裝層，能夠表面平整且厚度均勻，不會出現(xiàn)膜層開裂問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及屏幕顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點LED和制備方法。

背景技術(shù)

量子點（Quantum Dot，QD）是把導(dǎo)帶電子、價帶空穴及激子在三個空間方向上束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，又可稱為納米晶，是一種由II－VI族或III－V族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介于1～10nm之間，由于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)，受激后可以發(fā)射熒光。而CSP（Chip Scale Package，芯片級封裝）LED作為一種無支架的LED，由于其制作工藝流程簡單，散熱好，發(fā)光面小等優(yōu)點，目前成為LED的重要發(fā)展方向。

圖1為紅光量子點與綠光量子點的吸收光譜圖，圖2為紅光量子點與綠光量子點的發(fā)射光譜圖，圖1與圖2中，灰色線代表綠光量子點，黑色線代表紅光量子點，從圖2中可以看出，紅光量子點與綠光量子點發(fā)光的半峰寬（FWHM）都很窄，因此在光源中添加量子點可大幅提高液晶顯示器的色域。

但量子點由于溫度淬滅嚴(yán)重，溫度升高，發(fā)光效率降低。此外，若量子點暴露在水氧環(huán)境下，熒光效率會存在不可逆的迅速下降，所以目前量子點需要隔絕水氧環(huán)境，隔絕高溫或者有較好的散熱環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種量子點LED和制備方法，以提高高溫高濕使用環(huán)境下量子點對水汽和氧氣的阻隔能力。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種量子點LED，包括：

并排且間隔設(shè)置的一對電極；

設(shè)置于所述電極上并與所述電極電連接的倒裝LED芯片；

設(shè)置于所述倒裝LED芯片上的量子點夾層；

包覆所述電極、所述倒裝LED芯片、所述量子點夾層的封裝層；

圍繞所述封裝層四周的白膠層。

其中，在所述封裝層和所述白膠層上還設(shè)有微納結(jié)構(gòu)有機(jī)層。

其中，所述量子點夾層具體包括：量子點層以及對稱設(shè)置在所述量子點層上下兩側(cè)的下阻擋層和上阻擋層。

其中，所述下阻擋層和所述上阻擋層的材質(zhì)均為低透水和透氧的透明玻璃或陶瓷。

其中，所述封裝層為采用原子層沉積的方式制備而成的無機(jī)封裝層，或者為采用涂布的方式涂布而成的有機(jī)防水涂層。

其中，所述無機(jī)封裝層為單層結(jié)構(gòu)，所述單層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為氧化鋁、氧化鋯和二氧化鈦中的任意一種。

其中，所述無機(jī)阻隔層為多層結(jié)構(gòu)，其中每一層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為氧化鋁、氧化鋯和二氧化鈦中的任意一種。

其中，所述倒裝LED芯片為倒裝藍(lán)光LED芯片。

本發(fā)明還提供一種量子點LED的制備方法，包括：

并排且間隔設(shè)置一對電極；

在所述電極上設(shè)置與其電連接的倒裝LED芯片；

在所述倒裝LED芯片上設(shè)置量子點夾層；