[發明專利]一種量子點LED和制備方法有效
| 申請號： | 201810117797.1 | 申請日： | 2018-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN108461610B | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 樊勇 | 申請（專利權）人： | 惠州市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/54 | 分類號： | H01L33/54;H01L33/58;H01L33/50 |
| 代理公司： | 深圳匯智容達專利商標事務所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市仲愷高新技術*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 量子 led 制備 方法 | ||
1.一種量子點LED，其特征在于，包括：
并排且間隔設置的一對電極；
設置于所述電極上并與所述電極電連接的倒裝LED芯片；
設置于所述倒裝LED芯片上的量子點夾層；
包覆所述電極、所述倒裝LED芯片、所述量子點夾層的封裝層；
圍繞所述封裝層四周的白膠層；
其中，所述量子點夾層具體包括：量子點層以及對稱設置在所述量子點層上下兩側的下阻擋層和上阻擋層；
在所述封裝層和所述白膠層上還設有微納結構有機層；
所述下阻擋層和所述上阻擋層的材質均為透明玻璃或陶瓷。
2.根據權利要求1所述的量子點LED，其特征在于，所述封裝層為采用原子層沉積的方式制備而成的無機封裝層，或者為采用涂布的方式涂布而成的有機防水涂層。
3.根據權利要求2所述的量子點LED，其特征在于，所述無機封裝層為單層結構，所述單層結構的材質為氧化鋁、氧化鋯和二氧化鈦中的任意一種。
4.根據權利要求2所述的量子點LED，其特征在于，所述無機封裝層為多層結構，其中每一層結構的材質為氧化鋁、氧化鋯和二氧化鈦中的任意一種。
5.根據權利要求1所述的量子點LED，其特征在于，所述倒裝LED芯片為倒裝藍光LED芯片。
6.一種量子點LED的制備方法，其特征在于，包括：
并排且間隔設置一對電極；
在所述電極上設置與其電連接的倒裝LED芯片；
在所述倒裝LED芯片上設置量子點夾層，其中，所述量子點夾層具體包括：量子點層以及對稱設置在所述量子點層上下兩側的下阻擋層和上阻擋層；
設置封裝層，所述封裝層包覆所述電極、所述倒裝LED芯片和所述量子點夾層；
在所述封裝層四周通過模板的方式制備白膠層；
在所述封裝層和所述白膠層上設置微納結構有機層。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述封裝層為采用原子層沉積的方式制備而成的無機封裝層，或者為采用涂布的方式涂布而成的有機防水涂層。
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