[發明專利]一種常壓等離子處理方法

在審

• 申請號: 201810116923.1
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN108461375A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 謝文娟
• 申請（專利權）人: 安徽科耀環保科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種常壓等離子處理方法，將一密封容器內設置為常壓，在密封容器內設置一對相對電極，所述相對電極之間設置有固體電介質，所述的一對相對電極之間施加電場，得到等離子體，所述密閉容器連接有抽氣容器，所述抽氣容器通過閥門與密閉容器連通，所述抽氣容器內的壓強小于常壓，打開閥門所述等離子體通過閥門排出氣體，利用氣壓差使得等離子進入到抽氣容器中。便于通過抽氣容器與密閉容器之間存在的壓強差將等離子進行移動，便于將抽氣容器中得到的等離子加以應用。

技術領域

本發明涉及一種，具體涉及一種常壓等離子處理方法。

背景技術

通過在低壓條件下產生輝光放電等離子體，進行被處理物體表面改質或在被處理物體上形成薄膜的方法也被實用化。但是，這些條件下的處理，需要真空室和真空排氣裝置等，而且處理操作也會變得繁雜，因而使表面處理裝置稱為一種高價品，在大面積基板等處理時幾乎沒有被采用。由于這個原因，有人提出在大氣壓附近壓力下產生放電等離子體的方法。

對于半導體元件等制造中形成薄膜而言在高溫下形成膜、干式腐蝕等處理過程中，在等離子體與被處理物體接觸的處理部附近，常常因氣體氣氛而使被處理物體氧化、生成的膜氧化、腐蝕部分氧化等，因而存在不能得到優質半導體元件這一問題。為了解決這些問題，一旦在密閉容器內于抽真空下進行處理，就會與低壓下的處理相同，不能適應高速處理和大面積基板處理。

發明內容

本發明目的在于提供一種常壓等離子處理方法，解決在密閉容器內于抽真空下進行處理，就會與低壓下的處理相同，不能適應高速處理和大面積基板處理的問題。

本發明通過下述技術方案實現：

一種常壓等離子處理方法，將一密封容器內設置為常壓，在密封容器內設置一對相對電極，所述相對電極之間設置有固體電介質，所述的一對相對電極之間施加電場，得到等離子體，所述密閉容器連接有抽氣容器，所述抽氣容器通過閥門與密閉容器連通，所述抽氣容器內的壓強小于常壓，打開閥門所述等離子體通過閥門排出氣體，利用氣壓差使得等離子進入到抽氣容器中。本發明通過在密閉容器中充入空氣營造常壓環境，通過在密閉容器中設置一對相對電極，在電極之間設置有固體電介質，通過給電極施加一個電場使得固體電介質電解得到等離子，打開密閉容器與抽氣容器之間的閥門，抽氣容器中的壓強小于常壓，使得密閉容器與抽氣容器之間出現吸力，等離子隨著吸力進入到抽氣容器中。便于通過抽氣容器與密閉容器之間存在的壓強差將等離子進行移動，便于將抽氣容器中得到的等離子加以應用。

進一步的，一種常壓等離子處理方法，所述密閉容器設置有進入閥門，所述進氣閥門打開時，空氣進入密閉容器，關閉進氣閥門使得密閉容器為內常壓。便于通過進氣閥門對密閉容器進行充氣，使得密閉容器處于常壓。

進一步的，一種常壓等離子處理方法，所述密閉容器設置有開口，所述固體電介質通過開口置入電極之間。通過密閉容器的開口置入固體電介質，滿足電解產生等離子的條件。

進一步的，一種常壓等離子處理方法，所述抽氣容器的內部設置有被處理物。通過在抽氣容器中設置被處理物，便于通過抽氣容器中進入的等離子對被處理物進行表面處理。

進一步的，一種常壓等離子處理方法，等離子體與被處理物體接觸的處理部附近四周具有排氣口，在其周圍配有氣幕機構，借以使等離子體與被處理物體接觸的處理部附近保持在特定的氣體氣氛下。通過在抽氣容器被處理物體接觸的處理部附近四周設置排氣口，并在排氣口周圍設置氣幕機構，通過氣幕機構將抽氣容器中的氣體進行排除，在排除的過程中抽氣容器中的氣體形成規律的流動，氣體流動帶動風例子流動，便于等離子均勻的附著在被處理物體的表面，使得被處理器物體表面處理均勻。

本發明與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果：

1、本發明一種常壓等離子處理方法，通過抽氣容器與密閉容器之間存在的壓強差將等離子進行移動，便于將抽氣容器中得到的等離子加以應用；