[發(fā)明專利]一種改變多晶電阻阻值的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810113551.7
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN108321147A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 趙鵬輝;王立芳
• 申請（專利權）人: 華大半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 上海智晟知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅;李鏑的

本發(fā)明涉及一種改變多晶電阻阻值的方法，包括：確定需要改變阻值的多晶電阻的位置；以及修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形。通過本發(fā)明公開的方法極大的降低了用ECO的方法減小片上POLY電阻阻值的成本。

技術領域

本發(fā)明總體上涉及電子技術領域，更具體而言涉及一種改變多晶電阻阻值的方法。

背景技術

掩模版主要作為圖形信息的載體，通過曝光過程，將圖形轉移到被曝光產(chǎn)品(硅片，導電玻璃，銅箔等)上，從而實現(xiàn)圖形的轉移。

掩膜版是光刻復制圖形的基準和藍本，掩膜版上的任何缺陷都會對最終圖形精度產(chǎn)生嚴重的影響。掩膜版質量的優(yōu)劣直接影響光刻圖形的質量。在IC制造過程中都需要經(jīng)過十幾乃至幾十次的光刻。每次光刻都需要一塊掩膜版，每塊掩膜版都會影響光刻質量。可見，要有高的成品率，就必須制作出品質優(yōu)良的掩膜版。

隨著CMOS工藝制程進入深亞微米時代，掩膜成本越來越高，成為集成電路生產(chǎn)過程中最昂貴的部分，盡可能少的使用掩膜層成為各芯片設計公司降低成本的需求。

然而，芯片設計并不能保證一次成功，在產(chǎn)品的測試或使用中發(fā)現(xiàn)問題時，芯片設計公司更傾向于使用ECO(Engineering Change Order)的方法修正芯片，為了節(jié)約成本此時需要盡可能多地利用已經(jīng)生產(chǎn)的掩膜版，最大程度上減少需要修改的掩膜版層數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明的一個實施例提供一種改變多晶電阻阻值的方法，包括：

確定需要改變阻值的多晶電阻的位置；以及

修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形。

在本發(fā)明的一個實施例中，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括縮小所述金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形的面積。

在本發(fā)明的一個實施例中，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括使所述金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形從電阻端頭所在的側面向中間收縮。

在本發(fā)明的一個實施例中，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括在所述金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形中形成一個或多個窗口。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述一個或多個窗口是均勻分布在所述多晶電阻上的多個矩形窗口。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述一個或多個窗口是縱向貫穿金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形的一個或多個矩形。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述一個或多個窗口是橫向貫穿金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形的一個或多個矩形。

在本發(fā)明的一個實施例中，該方法還包括在多晶電阻上至少部分地形成金屬硅化物。

本發(fā)明的另一個實施例提供一種多晶電阻，其特征在于，包括：

用于提高多晶電阻的電阻值的高阻注入?yún)^(qū)；以及

用于降低多晶電阻的電阻值的金屬硅化物，所述金屬硅化物至少接觸部分所述高阻注入?yún)^(qū)。

在本發(fā)明的另一個實施例中，所述金屬硅化物阻擋層覆蓋所述高阻注入?yún)^(qū)的兩端。

本發(fā)明提出的減小POLY高阻阻值的ECO方法使減小POLY高阻阻值的ECO由修改6層掩膜版變?yōu)橹恍薷?層掩膜版，極大的降低了用ECO的方法減小片上POLY高阻阻值的成本。

附圖說明