[發明專利]一種改變多晶電阻阻值的方法在審
| 申請號： | 201810113551.7 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108321147A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發明（設計）人： | 趙鵬輝;王立芳 | 申請（專利權）人： | 華大半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張東梅;李鏑的 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電阻 多晶 金屬硅化物阻擋層 掩膜版 光罩 減小 | ||
1.一種改變多晶電阻阻值的方法，包括：
確定需要改變阻值的多晶電阻的位置；以及
修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括縮小所述金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形的面積。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括使所述金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形從電阻端頭所在的側面向中間收縮。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，修改用于所述多晶電阻的金屬硅化物阻擋層掩膜版的光罩圖形包括在所述金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形中形成一個或多個窗口。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述一個或多個窗口是均勻分布在所述多晶電阻上的多個矩形窗口。
6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述一個或多個窗口是縱向貫穿金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形的一個或多個矩形。
7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述一個或多個窗口是橫向貫穿金屬硅化物阻擋層掩膜版光罩圖形的一個或多個矩形。
8.如權利要求2-7中任一項所述的方法，其特征在于，還包括在多晶電阻上至少部分地形成金屬硅化物。
9.一種多晶電阻，其特征在于，包括：
用于提高多晶電阻的電阻值的高阻注入區；以及
用于降低多晶電阻的電阻值的金屬硅化物，所述金屬硅化物至少接觸部分所述高阻注入區。
10.如權利要求9所述的多晶電阻，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層覆蓋所述高阻注入區的兩端。
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