[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810112470.5 | 申請日: | 2018-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN110120386B | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮樂天 | 申請(專利權(quán))人: | 揚(yáng)智科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/485 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林嶺 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
導(dǎo)線架,包括晶片座以及環(huán)繞所述晶片座且彼此電性絕緣的多個外引腳;
第一晶片,配置于所述晶片座上,包括至少一第一接地接墊以及至少一第一信號接墊;
重配置線路層,配置于所述第一晶片上,且包括第一絕緣層、線路層以及第二絕緣層,所述第一絕緣層具有至少一第一接觸窗以及至少一第二接觸窗,所述至少一第一接觸窗暴露出所述至少一第一接地接墊,所述至少一第二接觸窗暴露出部分所述至少一第一信號接墊,所述線路層配置于所述第一絕緣層上且透過所述至少一第一接觸窗與所述至少一第一接地接墊電性連接,而透過所述至少一第二接觸窗與所述至少一第一信號接墊電性連接,所述第二絕緣層配置于所述線路層上且具有至少一第一開口、至少一第二開口以及至少一第三開口,所述至少一第二開口對應(yīng)所述至少一第一接地接墊設(shè)置,所述至少一第三開口對應(yīng)所述至少一第一信號接墊設(shè)置,而所述至少一第一開口、所述至少一第二開口與所述至少一第三開口分別暴露出部分所述線路層;
第二晶片,配置于所述第二絕緣層上且暴露出所述至少一第一開口,所述第二晶片包括至少一第二接地接墊以及至少一第二信號接墊;
金屬結(jié)構(gòu)層,配置于所述重配置線路層與所述第二晶片之間且透過所述線路層與所述至少一第一接地接墊電性連接;
至少一第一導(dǎo)線,從所述至少一第二接地接墊連接至所述金屬結(jié)構(gòu)層,以使所述至少一第二接地接墊電性連接至所述金屬結(jié)構(gòu)層;
至少一第二導(dǎo)線,從所述至少一第二信號接墊連接至所述至少一第一開口所暴露出的所述線路層,以使所述至少一第二信號接墊電性連接至所述至少一第一信號接墊;以及
至少一第三導(dǎo)線,從所述金屬結(jié)構(gòu)層連接至所述晶片座,以使所述至少一第一接地接墊電性連接至所述晶片座。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述金屬結(jié)構(gòu)層包括圖案化金屬層以及至少一金屬柱,所述至少一金屬柱連接所述圖案化金屬層與所述線路層,而所述圖案化金屬層暴露出部分所述至少一第一開口與部分所述至少一第三開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述至少一金屬柱包括至少一第一金屬柱以及至少一第二金屬柱,所述至少一第一金屬柱位于所述至少一第一開口內(nèi),而所述至少一第二金屬柱位于所述至少一第二開口內(nèi),且所述至少一第一金屬柱的第一垂直高度小于所述至少一第二金屬柱的第二垂直高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一晶片更包括至少一第一電源接墊,而所述第一絕緣層更具有至少一第三接觸窗,所述至少一第三接觸窗暴露出所述至少一第一電源接墊,而所述線路層透過所述至少一第三接觸窗與所述至少一第一電源接墊電性連接,所述第二絕緣層更具有至少一第四開口,所述至少一第四開口對應(yīng)所述至少一第一電源接墊設(shè)置,而所述第二晶片更包括至少一第二電源接墊,所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)更包括:
至少一第四導(dǎo)線,從所述至少一第二電源接墊連接至所述多個外引腳的其中一個,以使所述至少一第二電源接墊電性連接至所述多個外引腳的其中一個;以及
至少一第五導(dǎo)線,從所述線路層連接至所述多個外引腳的其中另一個,以使所述至少一第一電源接墊電性連接至所述多個外引腳的其中另一個。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,更包括:
保護(hù)層,配置于所述第一晶片與所述第一絕緣層之間,其中所述保護(hù)層具有至少一第一保護(hù)開口、至少一第二保護(hù)開口以及至少一第三保護(hù)開口,所述至少一第一保護(hù)開口暴露出部分所述至少一第一接地接墊,所述至少一第二保護(hù)開口暴露出部分所述至少一第一電源接墊,所述至少一第三保護(hù)開口暴露出部分所述至少一第一信號接墊,而部分所述第一絕緣層位于所述至少一第一保護(hù)開口內(nèi)、所述至少一第二保護(hù)開口內(nèi)以及所述至少一第三保護(hù)開口內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
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