[發明專利]形成動態隨機存取存儲器的方法有效
| 申請號： | 201810110089.5 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN110120368B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 蘇郁珊;吳家偉 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8242 | 分類號： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 動態 隨機存取存儲器 方法 | ||
1.一種形成動態隨機存取存儲器的方法，其特征在于，該方法包含有：
提供一基底，其中該基底包含存儲器區以及邏輯區；
形成一堆疊結構于該存儲器區的該基底上以及一柵極結構于該邏輯區的該基底上；
形成一第一掩模層于該堆疊結構以及該柵極結構上，其中形成該第一掩模層的方法包含進行一第一原子層沉積制作工藝；
進行一致密化制作工藝，致密化該第一掩模層；
形成一第二掩模層于該第一掩模層上，其中形成該第二掩模層的方法包含進行一第二原子沉積制作工藝，且該第一原子層沉積制作工藝及該第二原子層沉積制作工藝的制作工藝溫度相同，從而該第一掩模層的密度大于該第二掩模層的密度；以及
移除該第二掩模層的一部分以及該第一掩模層的一部分以形成一第一間隙壁于該柵極結構的側壁。
2.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該第一掩模層以及該第二掩模層包含氮化層。
3.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該第一原子層沉積制作工藝的制作工藝溫度為550℃。
4.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該第二原子層沉積制作工藝的制作工藝溫度為550℃。
5.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該致密化制作工藝包含一退火制作工藝。
6.如權利要求5所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該退火制作工藝包含通入氮氣、氬氣、氫氣或氧氣。
7.如權利要求6所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該退火制作工藝的制作工藝溫度為740℃～760℃。
8.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中形成該第一掩模層、進行該致密化制作工藝以及形成該第二掩模層的步驟在同一制作工藝腔體進行。
9.如權利要求1所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中移除該第二掩模層的該部分以及該第一掩模層的該部分的方法包含進行一濕蝕刻制作工藝，且該濕蝕刻制作工藝的蝕刻劑包含磷酸。
10.如權利要求9所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該第一間隙壁包含內層間隙壁以及外層間隙壁。
11.如權利要求10所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中磷酸對于該外層間隙壁的蝕刻率大于對于該內層間隙壁的蝕刻率。
12.如權利要求10所述的形成動態隨機存取存儲器的方法，其中該內層間隙壁的密度大于該外層間隙壁的密度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
