[發明專利]形成動態隨機存取存儲器的方法

有效

• 申請號: 201810110089.5
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN110120368B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 蘇郁珊;吳家偉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種形成動態隨機存取存儲器的方法，其包含有下述步驟。首先，提供一基底，其中基底包含一存儲器區以及一邏輯區。接著，形成一堆疊結構于存儲器區的基底上以及一柵極結構于邏輯區的基底上。接續，形成一第一掩模層于堆疊結構以及柵極結構上。續之，進行一致密化制作工藝，致密化第一掩模層。繼之，形成一第二掩模層于第一掩模層上。之后，移除第二掩模層的一部分以及第一掩模層的一部分以形成一第一間隙壁于柵極結構的側壁。

技術領域

本發明涉及一種形成動態隨機存取存儲器的方法，且特別是涉及一種形成動態隨機存取存儲器中的間隙壁的方法。

背景技術

隨機存取存儲器(RAM：Random Access Memory)使用時可以讀取數據也可以寫入數據，當電源關閉以后數據立刻消失。由于隨機存取存儲器的數據更改容易，所以一般應用在個人電腦作為暫時存儲數據的存儲器。隨機存取存儲器又可以細分為「動態(Dynamic)」與「靜態(Static)」兩種。

「靜態隨機存取存儲器(SRAM：Static RAM)」是以6個晶體管來存儲1個位(1bit)的數據，而且使用時不需要周期性地補充電源來保持存儲的內容，故稱為「靜態(Static)」。靜態隨機存取存儲器的構造較復雜(6個晶體管存儲1個位的數據)使得存取速度較快，但是成本也較高，因此一般都制作成對容量要求較低但是對速度要求較高的存儲器，例如：個人電腦的中央處理器(CPU)內建256KB或512KB的快取存儲器(Cache Memory)。

「動態隨機存取存儲器(DRAM：Dynamic RAM)」是以1個晶體管加上1個電容來存儲1個位(1bit)的數據，而且使用時必須要周期性地補充電源來保持存儲的內容，故稱為「動態(Dynamic)」。動態隨機存取存儲器構造較簡單(1個晶體管加上1個電容來存儲1個位的數據)使得存取速度較慢(電容充電放電需要較長的時間)，但是成本也較低，因此一般都制作成對容量要求較高但是對速度要求較低的存儲器，例如：個人電腦主機板上通常使用的主存儲器(main memory)。

發明內容

本發明提出一種形成動態隨機存取存儲器的方法，其進行沉積并致密化制作工藝形成具有蝕刻選擇比的雙層間隙壁，以能降低制作工藝成本及漏電流。

本發明提供一種形成動態隨機存取存儲器的方法，包含有下述步驟。首先，提供一基底，其中基底包含一存儲器區以及一邏輯區。接著，形成一堆疊結構于存儲器區的基底上以及一柵極結構于邏輯區的基底上。接續，形成一第一掩模層于堆疊結構以及柵極結構上。續之，進行一致密化制作工藝，致密化第一掩模層。繼之，形成一第二掩模層于第一掩模層上。之后，移除第二掩模層的一部分以及第一掩模層的一部分以形成一第一間隙壁于柵極結構的側壁。

基于上述，本發明提出一種形成動態隨機存取存儲器的方法，其在形成二掩模層之間致密化內層掩模層，以形成具有蝕刻選擇比的雙層間隙壁，因而可取代原來以不同材質分別形成的含碳的雙層間隙壁，能簡短制作工藝時間、降低制作工藝成本并減少漏電流。

附圖說明

圖1～圖5為本發明優選實施例中形成動態隨機存取存儲器的方法的剖面示意圖；

圖6為本發明優選實施例中反應爐管的裝置示意圖；

圖7為本發明優選實施例中反應爐管中制作工藝溫度對制作工藝時間的關系圖。

主要元件符號說明

2、6：氧化硅層

4：氮化硅層

10：淺溝隔離

110：基底

120：埋入式的柵極結構

131：非晶硅層

132：鈦金屬層

133：氮化鈦金屬層