[發(fā)明專利]MIM電容的工藝方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810109062.4
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN108417565A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設計）人: 蔡瑩
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明公開了一種MIM電容的工藝方法，在基板上依次淀積好下極板、介質(zhì)層以及上極板的材質(zhì)；通過光刻膠定義出上極板然后刻蝕形成上極板；去除光刻膠，再次通過光刻膠定義出介質(zhì)層進行刻蝕，去除多余的介質(zhì)層；去除光刻膠，形成MIM電容結構。本發(fā)明所述的MIM電容的工藝方法，有效地保護了上極板邊緣的介質(zhì)層，避免刻蝕帶來的等離子損傷，提高了MIM電容的可靠性。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件及制造領域，特別是指一種適用于大功率射頻器件RFLDMOS的MIM電容的工藝方法。

背景技術

用于基站等的大功率射頻器件RFLDMOS包括如下結構：源極、漏極、柵極、溝道和基極、及法拉第屏蔽環(huán)。由于應用需求，需要在RFLDMOS的柵極和漏極間增加負反饋電路，包括電阻和電容。如圖4所示。

在通常的MIM電容工藝中，如圖5所示，是傳統(tǒng)MIM電容的結構示意圖，所述MIM電容，即是金屬-絕緣層-金屬的結構的電容。從上至下依次為上基板（氮化鈦材質(zhì)），介質(zhì)層（氮化硅材質(zhì)），下極板（氮化鈦材質(zhì)），以及下極板鋁銅。會用上極板做hardmask（硬掩膜），將上極板之外的介質(zhì)層刻蝕掉。在刻蝕時會產(chǎn)生等離子損傷，傷害了介質(zhì)層的質(zhì)量，降低MIM電容的可靠性，導致電容可靠性失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種MIM電容的工藝方法。

為解決上述問題，本發(fā)明所述的MIM電容的工藝方法，包含：在基板上依次淀積好下極板、介質(zhì)層以及上極板的材質(zhì)；通過光刻膠定義出上極板然后刻蝕形成上極板；去除光刻膠，再次通過光刻膠定義出介質(zhì)層進行刻蝕，去除多余的介質(zhì)層；去除光刻膠，形成MIM電容結構。

進一步地，所述基板的材質(zhì)為鋁銅，上下基板的材質(zhì)均為氮化鈦，介質(zhì)層為氮化硅。

進一步地，所述刻蝕后的介質(zhì)層要全覆蓋上極板且面積大于上極板。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MIM電容的工藝方法，包含：在基板上依次淀積介質(zhì)層和上極板的材質(zhì)，通過介質(zhì)層掩膜版用光刻膠定義出介質(zhì)層，刻蝕去除介質(zhì)層區(qū)域以外的上極板，去除光刻膠；以上極板為硬掩膜，刻蝕掉上極板覆蓋區(qū)域以外的介質(zhì)層；再以上極板光刻掩膜版定義出上極板，進行上極板刻蝕，形成上極板；去除光刻膠，形成MIM電容結構。

進一步地，所述基板的材質(zhì)為鋁銅，上下基板的材質(zhì)均為氮化鈦，介質(zhì)層為氮化硅。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MIM電容的工藝方法，包含：在基板上依次淀積好下極板、介質(zhì)層及上極板的材質(zhì)，先通過上極板光刻掩膜版用光刻膠定義出上極板，然后刻蝕形成上極板；去除光刻膠；再淀積一層氧化層，通過刻蝕在上極板側(cè)方形成側(cè)墻，利用側(cè)墻和上極板作為硬掩膜刻蝕掉兩者覆蓋區(qū)以外的介質(zhì)層材質(zhì)，形成MIM電容。

進一步地，所述基板的材質(zhì)為鋁銅，上下基板的材質(zhì)均為氮化鈦，介質(zhì)層為氮化硅。

本發(fā)明所述的MIM電容的工藝方法，有效地保護了上極板邊緣的介質(zhì)層，避免刻蝕帶來的等離子損傷，提高了MIM電容的可靠性。

附圖說明

圖1-1～圖1-4 是本發(fā)明技術方案一的工藝示意圖。

圖2-1～圖2-5 是本發(fā)明技術方案二的工藝示意圖。

圖3-1～圖3-4 是本發(fā)明技術方案三的工藝示意圖。

圖4 是具有負反饋電路的RFLDMOS器件的電路示意圖。

圖5 是MIM電容的結構示意圖。

圖6 是本發(fā)明技術方案一的工藝流程圖。

附圖標記說明