[發明專利]MIM電容的工藝方法在審
| 申請號： | 201810109062.4 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108417565A | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發明（設計）人： | 蔡瑩 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻膠 介質層 上極板 刻蝕 去除 等離子損傷 下極板 有效地 淀積 基板 | ||
1.一種MIM電容的工藝方法，其特征在于：在基板上依次淀積好下極板、介質層以及上極板的材質；通過光刻膠定義出上極板然后刻蝕形成上極板；去除光刻膠，再次通過光刻膠定義出介質層進行刻蝕，去除多余的介質層；去除光刻膠，形成MIM電容結構。
2.如權利要求1所述的MIM電容的工藝方法，其特征在于：所述基板的材質為鋁銅，上下基板的材質均為氮化鈦，介質層為氮化硅。
3.如權利要求1所述的MIM電容的工藝方法，其特征在于：所述刻蝕后的介質層要全覆蓋上極板且面積大于上極板。
4.一種MIM電容的工藝方法，其特征在于：在基板上依次淀積介質層和上極板的材質，通過介質層掩膜版用光刻膠定義出介質層，刻蝕去除介質層區域以外的上極板，去除光刻膠；以上極板為硬掩膜，刻蝕掉上極板覆蓋區域以外的介質層；再以上極板光刻掩膜版定義出上極板，進行上極板刻蝕，形成上極板；去除光刻膠，形成MIM電容結構。
5.如權利要求4所述的MIM電容的工藝方法，其特征在于：所述基板的材質為鋁銅，上下基板的材質均為氮化鈦，介質層為氮化硅。
6.一種MIM電容的工藝方法，其特征在于：在基板上依次淀積好下極板、介質層及上極板的材質，先通過上極板光刻掩膜版用光刻膠定義出上極板，然后刻蝕形成上極板；去除光刻膠；再淀積一層氧化層，通過刻蝕在上極板側方形成側墻，利用側墻和上極板作為硬掩膜刻蝕掉兩者覆蓋區以外的介質層材質，形成MIM電容。
7.如權利要求6所述的MIM電容的工藝方法，其特征在于：所述基板的材質為鋁銅，上下基板的材質均為氮化鈦，介質層為氮化硅。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司，未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810109062.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
