[發明專利]一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法及缺陷掃描設備

有效

• 申請號: 201810107429.9
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN108417505B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 李劍
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明提供了一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法及缺陷掃描設備，其中，包括以下步驟：以預定個數的芯片單元為單位于第一缺陷掃描圖中劃分多個第二缺陷掃描圖，每個第二缺陷圖的外圍配置有相同的預定尺寸的第一切割道；在第二缺陷掃描圖中分割出單個待分析芯片單元，每個待分析芯片單元包括芯片單元以及配置在芯片單元外圍的相同的預定尺寸的第二切割道；去除每個待分析芯片單元的外圍配置的第二切割道；將每個去除第二切割道的待分析芯片排列組合形成一不含切割道的第三缺陷掃描圖以分析待分析芯片單元是否出現缺陷。其技術方案的有益效果在于，克服了現有技術中對缺陷掃面圖中的芯片單元進行缺陷分析時存在的切割道中的缺陷對缺陷分析的影響。

技術領域

本發明涉及半導體制備技術領域，尤其涉及一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法及缺陷掃描設備。

背景技術

在半導體制造生產過程中會設置很多站點對晶圓進行缺陷掃描，從而對晶圓的良率及制程狀況進行監控、改進。在實際生產中以shot(光刻機一次曝光圖形)為單位進行的掃描范圍的檢測，提高了檢測效率且能涵蓋切割道，對于整個晶圓的缺陷狀況能檢測地更完整全面，對于芯片單元(die)查找缺陷(defect)來源的分析。同時，對shot內芯片單元(die)與die設計不同的產品只能進行以單個shot(光刻機一次曝光圖形)為單位掃描范圍的缺陷掃描。在最終晶圓出貨時會把以shot為檢測單元的掃描缺陷圖轉化成以芯片單元為單位的掃描圖并對缺陷的芯片單元進行標記以確保不會被使用。

然而在缺陷分析中以單個shot(光刻機一次曝光圖形)為單位掃描范圍繪制成的缺陷掃描圖一般包含了芯片單元與芯片單元之間的切割道上的缺陷，而切割道上的缺陷defect在芯片單元切割的時候會被切除并不會影響芯片單元的使用，而且切割道上的defect并不屬于任何一個芯片單元；

現有的方法只能在對晶圓掃描的時候不掃切割道或者掃切割道的缺陷掃描圖不標記缺陷芯片單元而是在其后再進行一次記錄缺陷芯片單元的缺陷掃描。

但是這兩種方式前者舍棄了shot掃描的能覆蓋更廣掃描區域的優點不利于芯片單元內缺陷來源的分析，而后者需要對晶圓進行多次掃描缺乏效率。

發明內容

針對現有技術中分析晶圓的缺陷存在的上述問題，現提供一種旨在對待測晶圓進行掃描獲得第一缺陷掃描圖的基礎上，可有效的將切割道從缺陷掃描圖中剔除，以完成對芯片單元進行缺陷分析的方法及缺陷掃描設備。

具體技術方案如下：

一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法，其中，提供一待測晶圓，獲取所述待測晶圓的一第一缺陷掃描圖，所述第一缺陷掃描圖中包括多個芯片單元以及位于所述芯片單元之間的切割道；

包括以下步驟：

步驟S1、以預定個數的所述芯片單元為單位于所述第一缺陷掃描圖中劃分多個第二缺陷掃描圖，每個所述第二缺陷圖的外圍配置有相同的預定尺寸的第一切割道；

步驟S2、在所述第二缺陷掃描圖中分割出單個待分析芯片單元，每個所述待分析芯片單元包括所述芯片單元以及配置在所述芯片單元外圍的相同的預定尺寸的第二切割道；

步驟S3、去除每個所述待分析芯片單元的外圍配置的所述第二切割道；

步驟S4、將每個去除所述第二切割道的所述待分析芯片排列組合形成一不含所述切割道的第三缺陷掃描圖，通過掃描分析所述第三缺陷掃描圖以分析所述待分析芯片單元是否出現缺陷。

優選的，提供一缺陷掃描設備，通過所述缺陷掃描設備掃描所述待測晶圓以獲取所述第一缺陷掃描圖，并通過所述缺陷掃描設備執行步驟S1至步驟S2的操作。

優選的，所述第一切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一。

優選的，所述第二切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一。