[發明專利]一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法及缺陷掃描設備

有效

• 申請號: 201810107429.9
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN108417505B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 李劍
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/95
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種對晶圓進行缺陷掃描的分析方法，其特征在于，提供一待測晶圓，獲取所述待測晶圓的一第一缺陷掃描圖，所述第一缺陷掃描圖中包括多個芯片單元以及位于所述芯片單元之間的切割道；

包括以下步驟：

步驟S1、以預定個數的所述芯片單元為單位于所述第一缺陷掃描圖中劃分多個第二缺陷掃描圖，每個所述第二缺陷掃描圖的外圍配置有相同的預定尺寸的第一切割道；

步驟S2、在所述第二缺陷掃描圖中分割出單個待分析芯片單元，每個所述待分析芯片單元包括所述芯片單元以及配置在所述芯片單元外圍的相同的預定尺寸的第二切割道；

步驟S3、去除每個所述待分析芯片單元的外圍配置的所述第二切割道；

步驟S4、將每個去除所述第二切割道的所述待分析芯片排列組合形成一不含所述切割道的第三缺陷掃描圖，通過掃描分析所述第三缺陷掃描圖以分析所述待分析芯片單元是否出現缺陷；

所述第一切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一；

所述第二切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一。

2.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，提供一缺陷掃描設備，通過所述缺陷掃描設備掃描所述待測晶圓以獲取所述第一缺陷掃描圖，并通過所述缺陷掃描設備執行步驟S1至步驟S4的操作。

3.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述第二缺陷掃描圖中的每個所述芯片單元的規格尺寸相同。

4.根據權利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述第一缺陷掃描圖中包括一位置坐標系，每個所述芯片單元以及所述切割道于所述位置坐標系中分別對應一位置坐標；

根據所述芯片單元以及所述切割道對應的所述位置坐標，對所述切割道進行切割。

5.一種缺陷掃描設備，其特征在于，包括：

提供一待測晶圓；

所述缺陷掃描設備包括：

圖像獲取模塊，用以對所述待測晶圓進行掃描以獲取一第一缺陷掃描圖，

所述第一缺陷掃描圖中包括多個芯片單元以及位于所述芯片單元之間的切割道；

存儲模塊，與所述圖像獲取模塊連接，用以保存所述第一缺陷掃描圖；

第一圖形處理模塊，與所述存儲模塊連接，用以按照一預定個數的所述芯片單元為單位于所述第一缺陷掃描圖中劃分多個第二缺陷掃描圖，并使每個所述第二缺陷掃描圖的外圍配置有相同的預定尺寸的第一切割道；

第二圖形處理模塊，與所述第一圖形處理模塊連接，用以在所述第二缺陷掃描圖中分割出使所述芯片單元外圍配置有相同的預定尺寸的第二切割道的待分析芯片單元；

第三圖形處理模塊，于所述第二圖形處理模塊連接，用以去除所述待分析芯片單元外圍的所述第二切割道，并將去除所述第二切割道的每個所述待分析芯片單元排序組合形成一不含所述切割道的第三缺陷掃描圖；

所述缺陷掃描設備通過掃描分析所述第三缺陷掃描圖以分析所述待分析芯片單元是否出現缺陷；

所述第一切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一；

所述第二切割道的預定尺寸為所述切割道尺寸的二分之一。