[發明專利]白光OLED的材料測試器件及其制作方法在審
| 申請號: | 201810106050.6 | 申請日: | 2018-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN108417599A | 公開(公告)日: | 2018-08-17 |
| 發明(設計)人: | 張卜芳;李松杉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彩色光阻層 無機鈍化層 白光 基板 材料測試 制作 金屬圖案層 阻層 附著力 有機發光部 均一性 附著 覆蓋 | ||
本發明公開了一種白光OLED的材料測試器件,其包括:基板;設置于所述基板上的金屬圖案層;覆蓋在所述金屬圖案層和所述基板上的無機鈍化層;設置于位于所述基板上的無機鈍化層上的彩色光阻層;以及設置于所述彩色光阻層上的白光有機發光部。本發明還公開了一種白光OLED的材料測試器件的制作方法。本發明通過設置無機鈍化層,使在制作彩色光阻層時涂布的有機光阻層能夠很好的附著在無機鈍化層上,從而提高了制作彩色光阻層與無機鈍化層的附著力,同時改善了制作彩色光阻層的有機光阻層的均一性。
技術領域
本發明屬于有機顯示技術領域,具體地講,涉及一種白光OLED的材料測試器件及其制作方法。
背景技術
傳統的白光OLED的材料測試(Material Test)器件的制作過程為:依次在基板上制作金屬層、彩色光阻層、第一有機阻擋層、陽極、第二有機阻擋層、有機發光器件和陰極。
在傳統的白光OLED的材料測試器件的制作過程中,完成金屬層的制程后,在進彩色光阻層、第一有機阻擋層等有機光阻層的制程中,需要在金屬層上先整面鍍制有機光阻層,再進行曝光和顯影;而有機光阻層在金屬層上的附著力比較差,經常造成有機光阻層膜破,從而影響有機光阻層膜厚的均一性。
發明內容
為了解決上述現有技術存在的問題,本發明的目的在于提供一種能夠提高有機光阻層和金屬層的附著力的白光OLED的材料測試器件及其制作方法。
根據本發明的一方面,提供了一種白光OLED的材料測試器件,其包括:基板;設置于所述基板上的金屬圖案層;覆蓋在所述金屬圖案層和所述基板上的無機鈍化層;設置于位于所述基板上的無機鈍化層上的彩色光阻層;以及設置于所述彩色光阻層上的白光有機發光部。
進一步地,所述白光有機發光部包括:覆蓋在所述彩色光阻層上的第一有機阻擋層;設置在所述第一有機阻擋層和所述無機鈍化層上的陽極,所述陽極貫穿所述無機鈍化層以與所述金屬圖案層連接;設置于所述陽極上的第二有機阻擋層,所述第二有機阻擋層中具有暴露所述陽極的像素限定孔;設置于所述像素限定孔內且位于所述陽極上的白光有機發光功能層;以及設置于所述白光有機發光功能層上的陰極。
進一步地,所述像素限定孔與所述彩色光阻層正對。
進一步地,所述白光有機發光功能層從所述陽極到所述陰極順序包括:空穴發生層、空穴傳輸層、白光有機發光層、電子傳輸層、電子注入層。
進一步地,所述無機鈍化層為由SiNx或者SiOx制作而成的單層結構,或者所述無機鈍化層為由SiNx和SiOx制作而成的雙層結構。
根據本發明的另一方面,還提供了一種白光OLED的材料測試器件的制作方法,其包括:提供一基板;在所述基板上形成金屬圖案層;在所述金屬圖案層以及所述基板上形成無機鈍化層;在位于所述基板上的無機鈍化層上形成彩色光阻層;以及在所述彩色光阻層上形成白光有機發光部。
進一步地,在所述彩色光阻層和所述無機鈍化層上形成白光有機發光部的方法包括:在所述彩色光阻層上形成第一有機阻擋層;在所述第一有機阻擋層和所述無機鈍化層上形成陽極,所述陽極貫穿所述無機鈍化層以與所述金屬圖案層連接;在所述陽極上形成具有暴露所述陽極的像素限定孔的第二有機阻擋層;在所述像素限定孔內的陽極上形成白光有機發光功能層;以及在所述白光有機發光功能層上形成陰極。
進一步地,在所述第二有機阻擋層中形成所述像素限定孔時,使所述像素限定孔與所述彩色光阻層正對。
進一步地,在所述像素限定孔內的陽極上形成白光有機發光功能層的方法包括:在所述像素限定孔內的陽極上依次形成疊層的空穴發生層、空穴傳輸層、白光有機發光層、電子傳輸層、電子注入層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





