[發明專利]白光OLED的材料測試器件及其制作方法

在審

• 申請號: 201810106050.6
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN108417599A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 張卜芳;李松杉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種白光OLED的材料測試器件，其特征在于，包括：

基板；

設置于所述基板上的金屬圖案層；

覆蓋在所述金屬圖案層和所述基板上的無機鈍化層；

設置于位于所述基板上的無機鈍化層上的彩色光阻層；以及

設置于所述彩色光阻層上的白光有機發光部。

2.根據權利要求1所述的白光OLED的材料測試器件，其特征在于，所述白光有機發光部包括：

覆蓋在所述彩色光阻層上的第一有機阻擋層；

設置在所述第一有機阻擋層和所述無機鈍化層上的陽極，所述陽極貫穿所述無機鈍化層以與所述金屬圖案層連接；

設置于所述陽極上的第二有機阻擋層，所述第二有機阻擋層中具有暴露所述陽極的像素限定孔；

設置于所述像素限定孔內且位于所述陽極上的白光有機發光功能層；以及

設置于所述白光有機發光功能層上的陰極。

3.根據權利要求2所述的白光OLED的材料測試器件，其特征在于，所述像素限定孔與所述彩色光阻層正對。

4.根據權利要求2或3所述的白光OLED的材料測試器件，其特征在于，所述白光有機發光功能層從所述陽極到所述陰極順序包括：空穴發生層、空穴傳輸層、白光有機發光層、電子傳輸層、電子注入層。

5.根據權利要求1所述的白光OLED的材料測試器件，其特征在于，所述無機鈍化層為由SiN_x或者SiO_x制作而成的單層結構，或者所述無機鈍化層為由SiN_x和SiO_x制作而成的雙層結構。

6.一種白光OLED的材料測試器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成金屬圖案層；

在所述金屬圖案層以及所述基板上形成無機鈍化層；

在位于所述基板上的無機鈍化層上形成彩色光阻層；以及

在所述彩色光阻層上形成白光有機發光部。

7.根據權利要求6所述的白光OLED的材料測試器件的制作方法，其特征在于，在所述彩色光阻層和所述無機鈍化層上形成白光有機發光部的方法包括：

在所述彩色光阻層上形成第一有機阻擋層；

在所述第一有機阻擋層和所述無機鈍化層上形成陽極，所述陽極貫穿所述無機鈍化層以與所述金屬圖案層連接；

在所述陽極上形成具有暴露所述陽極的像素限定孔的第二有機阻擋層；

在所述像素限定孔內的陽極上形成白光有機發光功能層；以及

在所述白光有機發光功能層上形成陰極。

8.根據權利要求7所述的白光OLED的材料測試器件的制作方法，其特征在于，在所述第二有機阻擋層中形成所述像素限定孔時，使所述像素限定孔與所述彩色光阻層正對。

9.根據權利要求2或3所述的白光OLED的材料測試器件的制作方法，其特征在于，在所述像素限定孔內的陽極上形成白光有機發光功能層的方法包括：在所述像素限定孔內的陽極上依次形成疊層的空穴發生層、空穴傳輸層、白光有機發光層、電子傳輸層、電子注入層。

10.根據權利要求6所述的白光OLED的材料測試器件的制作方法，其特征在于，所述無機鈍化層為由SiN_x或者SiO_x制作而成的單層結構，或者所述無機鈍化層為由SiN_x和SiO_x制作而成的雙層結構。