[發明專利]半導體器件的制造方法及記錄介質

在審

• 申請號: 201810101540.7
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN108130523A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 蘆原洋司;小川有人
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;H01L21/316;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，將在處理空間的上游側的緩沖空間中分散的處理氣體向所述處理空間供給而對襯底進行處理，該半導體器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：

(a)經由第1排氣管對搬運空間的環境氣體進行排氣，并將所述襯底向所述處理空間搬運的工序；

(b)將設于所述第1排氣管的第1閥關閉的工序；

(c)邊經由所述緩沖空間將所述處理氣體向所述處理空間供給、邊經由第3排氣管對所述處理空間的環境氣體進行排氣的工序；

(d)在停止了所述處理氣體的供給之后，且在將連接于所述緩沖空間的第2排氣管上所設置的第2閥關閉的狀態下，經由所述緩沖空間向所述處理空間供給吹掃氣體，并經由所述第3排氣管對所述處理空間內的環境氣體進行排氣的工序；以及

(e)在所述(d)工序之后，在將設于所述第3排氣管的第3閥關閉、將所述第2閥打開的狀態下，向所述緩沖空間供給吹掃氣體，并經由所述第2排氣管對所述緩沖空間的環境氣體進行排氣的工序。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述(c)工序中，包括供給第1處理氣體的工序和供給第2處理氣體的工序，

在所述供給第1處理氣體的工序和所述供給第2處理氣體的工序之間，進行所述(d)工序和所述(e)工序。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在所述(a)工序之后，在將設于所述第1排氣管的位于所述第1真空泵的上游側的第4閥關閉之后，進行所述(b)工序。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：在向所述處理空間供給所述處理氣體之時，在停止了所述搬運空間的排氣的狀態下對所述處理空間進行排氣。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：在所述(e)工序之后，在將所述第2閥關閉的狀態下向所述處理空間供給所述吹掃氣體，經由所述第3排氣管對所述處理空間內的環境氣體進行排氣。

6.一種記錄介質，記錄有使襯底處理裝置執行半導體器件的制造方法的程序，所述半導體器件的制造方法將在處理空間的上游側的緩沖空間中分散的處理氣體向所述處理空間供給而對襯底進行處理，具有如下步驟：

(a)經由第1排氣管對搬運空間的環境氣體進行排氣，并將所述襯底向所述處理空間搬運的步驟；

(b)將設于所述第1排氣管的第1閥關閉的步驟；

(c)邊經由所述緩沖空間將所述處理氣體向所述處理空間供給、邊經由第3排氣管對所述處理空間的環境氣體進行排氣的步驟；

(d)在停止了所述處理氣體的供給之后，且在將連接于所述緩沖空間的第2排氣管上所設置的第2閥關閉的狀態下，經由所述緩沖空間向所述處理空間供給吹掃氣體，并經由所述第3排氣管對所述處理空間內的環境氣體進行排氣的步驟；以及

(e)在所述(d)步驟之后，在將設于所述第3排氣管的第3閥關閉、將所述第2閥打開的狀態下，向所述緩沖空間供給吹掃氣體，并經由所述第2排氣管對所述緩沖空間的環境氣體進行排氣的步驟。

7.如權利要求6所述的記錄介質，其特征在于，

在所述(c)步驟中，包括供給第1處理氣體的步驟和供給第2處理氣體的步驟，

在所述供給第1處理氣體的步驟和所述供給第2處理氣體的步驟之間，進行所述(d)步驟和所述(e)步驟。

8.如權利要求6所述的記錄介質，其特征在于，

在所述(a)步驟之后，在將設于所述第1排氣管的位于所述第1真空泵的上游側的第4閥關閉之后，進行所述(b)步驟。

9.如權利要求6所述的記錄介質，其特征在于，

具有如下步驟：在向所述處理空間供給所述處理氣體之時，在停止了所述搬運空間的排氣的狀態下對所述處理空間進行排氣。

10.如權利要求6所述的記錄介質，其特征在于，

具有如下步驟：在所述(e)步驟之后，在將所述第2閥關閉的狀態下向所述處理空間供給所述吹掃氣體，經由所述第3排氣管對所述處理空間內的環境氣體進行排氣。