[發明專利]半導體器件的制造方法及記錄介質

在審

• 申請號: 201810101540.7
• 申請日: 2014-03-13
• 公開（公告）號: CN108130523A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 蘆原洋司;小川有人
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;H01L21/316;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

本發明提供一種半導體器件的制造方法及記錄介質，防止設在排氣系統中的渦輪分子泵的動作變得不穩定。該襯底處理裝置向處理空間供給氣體而對襯底進行處理，具有：在上述處理空間的上游側使上述氣體分散的緩沖空間；在將上述襯底向上述處理空間搬運時供上述襯底通過的搬運空間；與上述搬運空間連接的第1排氣管；與上述緩沖空間連接的第2排氣管；與上述處理空間連接的第3排氣管；與上述第1排氣管、上述第2排氣管及上述第3排氣管各自的下游側連接的第4排氣管；設于上述第1排氣管的第1真空泵；設于上述第4排氣管的第2真空泵；在上述第1排氣管中設于上述第1真空泵的下游側的第1閥；設于上述第2排氣管的第2閥；以及設于上述第3排氣管的第3閥。

本申請是申請號為201410092872.5、申請日為2014年3月13日、發明名稱為“襯底處理裝置及半導體器件的制造方法”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。

背景技術

在半導體制造裝置等襯底處理裝置中，公知為了實施超高真空加工而在排氣系統中使用渦輪分子泵(TMP(Turbo Molecular Pump))等真空泵(例如專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11－300193號公報

渦輪分子泵等實現高真空或超真空的真空泵通常不能說臨界背壓高，在其下游側設置用于排氣至大氣壓的輔助泵。通常像這樣在真空泵的下游側連接其他構成要素，但該其他構成要素可能成為引起真空泵下游側的壓力變動的主要原因。在真空泵的下游側的壓力由于某些理由而上升的情況下，存在氣體逆流至該真空泵而導致其動作變得不穩定的隱患。

發明內容

本發明鑒于上述課題，目的在于提供一種防止設在排氣系統中的真空泵的動作變得不穩定的襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。

本發明的一個方式的襯底處理裝置為向處理空間供給氣體而對襯底進行處理的襯底處理裝置，其具有：在上述處理空間的上游側使上述氣體分散的緩沖空間；在將上述襯底向上述處理空間搬運時供上述襯底通過的搬運空間；與上述搬運空間連接的第1排氣管；與上述緩沖空間連接的第2排氣管；與上述處理空間連接的第3排氣管；與上述第1排氣管、上述第2排氣管及上述第3排氣管各自的下游側連接的第4排氣管；設于上述第1排氣管的第1真空泵；設于上述第4排氣管的第2真空泵；在上述第1排氣管中設于上述第1真空泵的下游側的第1閥；設于上述第2排氣管的第2閥；以及設于上述第3排氣管的第3閥。

本發明的另一方式的襯底處理裝置具有：對襯底進行處理的處理容器；與上述處理容器連接的多根排氣管；設于上述多根排氣管中的一根排氣管上的第1真空泵；設于上述多根排氣管的下游側的第2真空泵；在設有上述第1真空泵的排氣管中設于上述第1真空泵的上游側的閥；以及在設有上述第1真空泵的排氣管中連接在上述第1真空泵和上述閥之間的惰性氣體供給部。

本發明的一個方式的半導體器件的制造方法為，將在處理空間的上游側的緩沖空間中分散的氣體向上述處理空間供給而對襯底進行處理的半導體器件的制造方法，其具有如下工序：邊通過第1真空泵和設于該第1真空泵下游側的第2真空泵對上述襯底的搬運空間進行排氣，邊將上述襯底向上述處理空間搬運的工序；將設于上述第1真空泵的下游側且設于上述第2真空泵的上游側的閥關閉的工序；經由上述緩沖空間將上述氣體向上述處理空間供給的工序；以及經由在上述閥的下游側連接在上述第2真空泵上的排氣管并通過上述第2真空泵而對上述緩沖空間進行排氣的工序。