[發(fā)明專利]開關(guān)陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810100662.4
• 申請日: 2018-02-01
• 公開（公告）號: CN108346669B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 黃北洲
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇;王寧

1.一種開關(guān)陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在一基材上形成一緩沖層；

在所述緩沖層上形成圖案化的一第一導電層，其中圖案化的所述第一導電層構(gòu)成至少一閘極線與至少一閘電極，所述閘極線與所述閘電極電連接，并分別包括一第一子層與位于所述第一子層上的一第二子層，所述第一子層在平行所述基材的方向上突出于所述第二子層而具有一平面，所述第一子層具有兩側(cè)壁，所述兩側(cè)壁具有一選定重疊距離，所述選定重疊距離對應于所述第一子層的周邊部分，且所述第二子層具有一傾斜側(cè)壁；

形成一閘極介電層于所述閘極線、所述閘電極與所述緩沖層上；

形成一半導體材料層于所述閘極介電層上并圖案化所述半導體材料層，使所述半導體材料層對應于所述閘電極而設置；

形成一第二導電層在所述半導體材料層與所述閘極介電層上，并圖案化所述第二導電層，以于所述半導體材料層上分別形成一源電極與一漏電極，其中所述源電極與所述漏電極分別接觸所述半導體材料層，且所述閘電極分別使所述源電極和所述漏電極自對準重疊，其中圖案化所述第二導電層是使所述源電極與所述漏電極至少通過所述選定重疊距離設置在所述閘電極上方而與所述閘電極自對準重疊；以及

對應于所述閘極線形成圖案化的一透明導電層于所述閘極介電層上，其中所述透明導電層的邊緣由所述閘極線的外側(cè)延伸至所述第二子層的上方，在垂直所述基材的方向上，所述透明導電層與所述第二子層的所述傾斜側(cè)壁至少部分重疊，且所述第一子層、所述閘極介電層與所述透明導電層形成一輔助電容。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述閘電極的形貌通過覆蓋所述閘電極的每個膜層而向上傳播。

3.一種開關(guān)陣列基板，其特征在于，包括：

一基材；

一緩沖層，設置于所述基材上；

一閘極線與一閘電極，設置于所述緩沖層上，所述閘極線與所述閘電極電連接，并分別包括一第一子層與位于所述第一子層上的一第二子層，所述第一子層在平行所述基材的方向上突出于所述第二子層而具有一平面，所述第一子層具有兩側(cè)壁，所述兩側(cè)壁具有一選定重疊距離，所述選定重疊距離對應于所述第一子層的周邊部分，且所述第二子層具有一傾斜側(cè)壁；

一閘極介電層，設置于所述閘極線、所述閘電極與所述緩沖層上；

一半導體材料層，設置于所述閘極介電層上，所述半導體材料層與所述閘電極對應設置；

一源電極與一漏電極，分別設置于所述半導體材料層上，所述源電極與所述漏電極分別接觸所述半導體材料層，且所述閘電極分別與所述源電極和所述漏電極自對準重疊，其中所述源電極與所述漏電極至少通過所述選定重疊距離設置在所述閘電極上方而與所述閘電極自對準重疊；以及

一透明導電層，對應于所述閘極線設置于所述閘極介電層上，其中所述透明導電層的邊緣由所述閘極線的外側(cè)延伸至所述第二子層的上方，在垂直所述基材的方向上，所述透明導電層與所述第二子層的所述傾斜側(cè)壁至少部分重疊，且所述第一子層、所述閘極介電層與所述透明導電層形成一輔助電容。

4.如權(quán)利要求3所述的開關(guān)陣列基板，其特征在于，所述閘電極的形貌通過覆蓋所述閘電極的每個膜層而向上傳播。