[發(fā)明專利]封裝結構與封裝方法及封裝結構制備裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810099465.5 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN108365117A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 朱平;黃秀頎;劉勝芳;李雪原;黃瑩;田景文 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產(chǎn)權代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝結構 封裝層 封裝 分層現(xiàn)象 制備裝置 改性層 層疊設置 兩層 粘附 | ||
本發(fā)明提供一種封裝方法、封裝結構及封裝結構制備裝置,該封裝結構包括層疊設置的至少兩層封裝層,并且封裝層之間設置有具有用于提高兩者結合強度的改性層。本發(fā)明提供的封裝結構通過在相鄰封裝層之間設置具有用于提高兩者結合強度的改性層的方式,實現(xiàn)了提高封裝結構的相鄰封裝層之間的粘附力的目的,有效防止了封裝結構分層現(xiàn)象的出現(xiàn),從而有效避免了封裝結構的分層現(xiàn)象對其封裝效果的影響,進而有效提高了封裝結構的可靠性。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,具體涉及一種封裝方法、封裝結構及封裝結構制備裝置。
背景技術
近年來,隨著電子顯示技術的迅速發(fā)展,OLED(Organic Light-Emitting Diode)顯示裝置受到廣泛關注。但是,現(xiàn)有OLED顯示裝置中的封裝結構極易出現(xiàn)分層現(xiàn)象,從而直接影響其封裝效果。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種封裝方法、封裝結構及封裝結構制備裝置,以解決現(xiàn)有封裝結構中極易出現(xiàn)分層現(xiàn)象,從而直接影響其封裝效果的問題。
第一方面,本發(fā)明提供一種封裝結構,該封裝結構包括層疊設置的至少兩層封裝層,且封裝層之間設置有用于提高兩者結合強度的改性層。
在本發(fā)明一實施例中,該封裝結構包括第一封裝層和第二封裝層,第二封裝層與改性層具有相同的疏水性或親水性。
在本發(fā)明一實施例中,第一封裝層與改性層通過化學鍵連接。
在本發(fā)明一實施例中,第一封裝層為無機材料層,第二封裝層為有機材料層。
在本發(fā)明一實施例中,第二封裝層為疏水性有機材料層,改性層中含有六甲基二硅胺烷。
在本發(fā)明一實施例中,第一封裝層的材料包括二氧化硅、氧化鋁中的一種或多種,第二封裝層的材料包括丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
第二方面,本發(fā)明一實施例還提供一種封裝方法,該封裝方法包括提供一基板;在基板上形成第一封裝層;在第一封裝層表面至少部分區(qū)域進行表面改性處理形成改性層;在改性層相應位置層疊形成第二封裝層。
在本發(fā)明一實施例中,在第一封裝層表面至少部分區(qū)域進行表面改性處理形成改性層的步驟包括在密封條件下,加熱氣化改性劑,使氣化后的改性劑與經(jīng)預熱處理的基板表面的第一封裝層發(fā)生反應形成改性層,優(yōu)選將基板預熱至60℃-150℃。
在本發(fā)明一實施例中,第二封裝層為有機材料層,且第二封裝層與改性層均具有疏水性;優(yōu)選地,改性劑為六甲基二硅胺烷。
第三方面,本發(fā)明一實施例還提供一種封裝結構制備裝置,該封裝結構制備裝置包括第一封裝系統(tǒng),用于為基板制備第一封裝層;改性處理系統(tǒng),用于對完成第一封裝層制備的基板的表面進行改性處理以形成改性層;第二封裝系統(tǒng),用于將第二封裝層層疊設置到改性層上;優(yōu)選地,改性處理系統(tǒng)包括用于進行改性處理的線型改性劑蒸發(fā)源。
在本發(fā)明一實施例中,該封裝結構制備裝置進一步包括進程控制系統(tǒng),用于控制基板的封裝結構制備進程。
在本發(fā)明一實施例中,改性處理系統(tǒng)包括用于進行改性處理的線型改性劑蒸發(fā)源;第一封裝系統(tǒng)和/或第二封裝系統(tǒng)包括用于進行封裝層制備的線型封裝層蒸發(fā)源。
第四方面,本發(fā)明一實施例還提供一種封裝結構制備裝置,該封裝結構制備裝置包括:腔體真空系統(tǒng),包括真空腔體,用于為封裝結構的制備提供空間環(huán)境;傳輸系統(tǒng),設置于真空腔體內,用于傳輸并承載層疊設置第一封裝層后的待制備基板;改性處理系統(tǒng),包括設置于真空腔體內的改性劑蒸發(fā)源,用于對設置于傳輸系統(tǒng)上的基板的第一封裝層待層疊第二封裝層的表面進行改性處理以形成改性層;閃蒸系統(tǒng),包括設置于真空腔體內的封裝層蒸發(fā)源,用于將第二封裝層層疊設置到改性層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昆山國顯光電有限公司,未經(jīng)昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810099465.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種離心膜及其貼合方法及OLED面板
- 下一篇:柔性顯示模組
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





