[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)與封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)制備裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810099465.5 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN108365117A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱平;黃秀頎;劉勝芳;李雪原;黃瑩;田景文 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝結(jié)構(gòu) 封裝層 封裝 分層現(xiàn)象 制備裝置 改性層 層疊設(shè)置 兩層 粘附 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的至少兩層封裝層,且所述封裝層之間設(shè)置有用于提高兩者結(jié)合強(qiáng)度的改性層。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述封裝結(jié)構(gòu)包括第一封裝層和第二封裝層,所述第二封裝層與所述改性層具有相同的疏水性或親水性。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一封裝層與所述改性層通過化學(xué)鍵連接。
4.如權(quán)利要求2或3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一封裝層為無機(jī)材料層,所述第二封裝層為有機(jī)材料層。
5.如權(quán)利要求2或3所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二封裝層為疏水性有機(jī)材料層,所述改性層中含有六甲基二硅胺烷。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一封裝層的材料包括二氧化硅和/或氧化鋁,所述第二封裝層的材料包括丙烯酸類樹脂和/或環(huán)氧樹脂。
7.一種封裝方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成第一封裝層;
在所述第一封裝層表面至少部分區(qū)域進(jìn)行表面改性處理形成改性層;
在所述改性層相應(yīng)位置層疊形成第二封裝層。
8.如權(quán)利要求7所述的封裝方法,其特征在于,在所述第一封裝層表面至少部分區(qū)域進(jìn)行表面改性處理形成改性層的步驟包括:
在密封條件下,加熱氣化改性劑,使氣化后的改性劑與經(jīng)預(yù)熱處理的基板表面的所述第一封裝層發(fā)生反應(yīng)形成所述改性層,優(yōu)選將所述基板預(yù)熱至60℃-150℃。
9.如權(quán)利要求7所述的封裝方法,其特征在于,所述第二封裝層為有機(jī)材料層,且所述第二封裝層與所述改性層均具有疏水性;優(yōu)選地,所述改性劑為六甲基二硅胺烷。
10.一種封裝結(jié)構(gòu)制備裝置,其特征在于,包括:
第一封裝系統(tǒng),用于為基板制備第一封裝層;
改性處理系統(tǒng),用于對完成所述第一封裝層制備的所述基板的表面進(jìn)行改性處理以形成改性層;
第二封裝系統(tǒng),用于將第二封裝層層疊設(shè)置到所述改性層上;
優(yōu)選地,所述改性處理系統(tǒng)包括用于進(jìn)行改性處理的線型改性劑蒸發(fā)源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





