[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管QLED器件及其制作方法、裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810098238.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN110098291B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王建太;邢汝博;楊小龍;劉會(huì)敏;孫萍;韋冬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管QLED器件及其制作方法、裝置，用以緩解現(xiàn)有技術(shù)中量子點(diǎn)發(fā)光層之上形成的第一傳輸層中納米粒子滲漏而影響量子點(diǎn)發(fā)光層的問題。該方法包括：溶解非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子，形成混合溶液；在形成的量子點(diǎn)發(fā)光層之上沉積混合溶液，形成包含聚合物和納米粒子的第一傳輸層；其中，第一傳輸層中的聚合物呈網(wǎng)狀且包裹納米粒子，以阻隔納米粒子滲漏至量子點(diǎn)發(fā)光層。從而，避免第一傳輸層中的納米粒子受重力作用滲漏至量子點(diǎn)發(fā)光層中。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管QLED器件及其制作方法、裝置。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum DotLight Emitting Diodes，QLED)是一種新型的不需要額外光源的自發(fā)光技術(shù)，量子點(diǎn)(QuantumDots)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導(dǎo)體納米粒子，是一種粒徑為幾納米到幾十納米的顆粒。

如圖1所示，為現(xiàn)有的QLED器件的膜層結(jié)構(gòu)示意圖，在該器件膜層中，由下至上依次主要包括：陰極11、電子傳輸層12、量子點(diǎn)發(fā)光層13、空穴傳輸層14、陽極15等膜層。此外，還可以包括：電子注入層、空穴注入層等，圖1并未示出。

由于過渡金屬氧化物(如氧化鋅，氧化鈦等)具有優(yōu)異的可見光透過性、功函數(shù)可調(diào)節(jié)性，因此，成為QLED器件中電子傳輸層的優(yōu)選材料。但由于電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層通常都由具有半導(dǎo)體性質(zhì)的無機(jī)物構(gòu)成，且電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層往往直接接觸，導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)中在量子點(diǎn)發(fā)光層上制備過渡金屬氧化物電子傳輸層的過程中，會(huì)出現(xiàn)上層的納米粒子滲漏至下層甚至層間互溶的情況。從而使得量子點(diǎn)發(fā)光層出現(xiàn)缺陷，進(jìn)而影響QLED器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極QLED面板、裝置及其制作方法，用以緩解現(xiàn)有技術(shù)中量子點(diǎn)發(fā)光層與傳輸層之間出現(xiàn)滲漏甚至層間互溶導(dǎo)致的量子點(diǎn)發(fā)光層存在缺陷的問題。

本申請(qǐng)實(shí)施例采用下述技術(shù)方案：

一種制作量子點(diǎn)發(fā)光二極管QLED器件的方法，包括：

溶解非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子，形成混合溶液；在形成的量子點(diǎn)發(fā)光層之上沉積所述混合溶液，形成包含所述聚合物和所述納米粒子的第一傳輸層；其中，所述第一傳輸層中所述聚合物呈網(wǎng)狀且包裹所述納米粒子。

較優(yōu)的，溶解非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子，形成混合溶液，具體包括：

采用第一溶劑溶解所述非聚電解質(zhì)類的聚合物得到第一溶液；采用第二溶劑溶解所述具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子得到第二溶液；混合所述第一溶液和所述第二溶液形成所述混合溶液。

較優(yōu)的，溶解非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子，形成混合溶液，具體包括：

采用第三溶劑溶解所述非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子形成所述混合溶液。

較優(yōu)的，在上述方法中：所述混合溶液中所述聚合物的濃度小于1mg/ml；所述混合溶液中所述納米粒子的濃度大于或等于15mg/ml且小于或等于 25mg/ml。

較優(yōu)的，所述混合溶液中包括醇溶劑。

較優(yōu)的，在形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層之前，所述方法還包括：

形成第二傳輸層，所述第二傳輸層中包含非聚電解質(zhì)類的聚合物和具有無機(jī)半導(dǎo)體性質(zhì)的納米粒子。

較優(yōu)的，所述聚合物為聚乙烯吡咯烷酮。