[發明專利]一種量子點發光二極管QLED器件及其制作方法、裝置

有效

• 申請號: 201810098238.0
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN110098291B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 王建太;邢汝博;楊小龍;劉會敏;孫萍;韋冬
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種制作量子點發光二極管QLED器件的方法，其特征在于，包括：

溶解非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子，形成混合溶液；

在形成的量子點發光層之上沉積所述混合溶液，形成包含所述聚合物和所述納米粒子的第一傳輸層；

其中，所述第一傳輸層中所述聚合物呈網狀且包裹所述納米粒子，

在形成所述量子點發光層之前，所述方法還包括：

形成第二傳輸層，所述第二傳輸層中包含非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子，所述聚合物三維包裹所述納米粒子，所述第二傳輸層位于所述量子點發光層下方。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，溶解非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子，形成混合溶液，具體包括：

采用第一溶劑溶解所述非聚電解質類的聚合物得到第一溶液；

采用第二溶劑溶解所述具有無機半導體性質的納米粒子得到第二溶液；

混合所述第一溶液和所述第二溶液形成所述混合溶液。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，溶解非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子，形成混合溶液，具體包括：

采用第三溶劑溶解所述非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子形成所述混合溶液。

4.如權利要求2或3所述的方法，其特征在于，

所述混合溶液中所述聚合物的濃度小于1mg/ml；

所述混合溶液中所述納米粒子的濃度大于或等于15mg/ml且小于或等于25mg/ml。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述混合溶液中包括醇溶劑。

6.如權利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，所述聚合物為聚乙烯吡咯烷酮。

7.一種量子點發光二極管QLED器件，包括：量子點發光層，位于所述量子點發光層之上的第一傳輸層，其特征在于，

所述第一傳輸層包括非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子；

其中，所述聚合物呈網狀且包裹所述納米粒子；

所述器件還包括：位于所述量子點發光層之下的第二傳輸層，

所述第二傳輸層中包含網狀的非聚電解質類的聚合物和具有無機半導體性質的納米粒子，所述聚合物三維包裹所述納米粒子。

8.一種量子點發光二極管QLED裝置，其特征在于，包括如權利要求7所述的QLED器件。