[發(fā)明專利]一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝

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• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108282964A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 吳子明
• 申請（專利權）人: 深圳光韻達激光應用技術有限公司;吳子明
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02
• 代理公司: 廣東廣和律師事務所 44298
• 代理人: 王少強

1.一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：包括以下步驟，

S1：預備用于激光加工處理的電路板基材，并對該電路板基材表面進行清潔加工處理；

S2：采用激光蝕刻在步驟S1中準備好的電路板基材表面進行蝕刻槽體加工，形成導體線路圖形；且控制激光刻蝕的導體線路圖形中線距寬范圍為1um-100um之間，刻蝕深度為0.2um-500um之間；

S3：對步驟S2中激光蝕刻加工處理完成后的電路板基材進行溝道清洗，且清洗過程采用等離子氣體與超聲波進行激光殘渣清潔；

S4：高溫壓合；在步驟S3中清潔完成的電路板基材上方貼附保護層，并快壓機與傳壓機設備進行高溫壓合；控制壓合溫度范圍在80℃-400℃之間，壓合時間范圍在30分鐘-300分鐘之間；

S5：加工處理完畢。

2.如權利要求1所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中采用的激光蝕刻激光器包括波長范圍為480nm-580nm的綠光光源激光器、波長范圍為280nm-410nm的UV紫光光源激光器、波長范圍為750nm-2500nm的CO2光源激光器以及波長范圍為218nm-299nm的UV深紫光光源激光器。

3.如權利要求1或2所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中采用的激光蝕刻激光器的激光光斑大小經過光學整形，光斑的直徑大小范圍控制在1um-50um之間，且光斑的形狀為圓形、長方形、正方形、矩形、菱形或橢圓形。

4.如權利要求1所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S1中用于激光蝕刻加工的電路板基材具有線路導體金屬層、粘結膠層以及基材本體層。

5.如權利要求4所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S2中激光蝕刻加工處理將線路導體的線路導體金屬層刻蝕去除，且同時蝕刻線路導體金屬層下方的粘結膠層與基材本體層；控制線路導體金屬層下方的粘結膠層與基材本體層的蝕刻深度范圍為0.2um-500um之間。

6.如權利要求1所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S4中，保護層為PI覆蓋膜(FPC coverlayer)、PET覆蓋膜、聚脂覆蓋膜、聚酰亞胺覆蓋膜、亞克力覆蓋膜、丙烯酸覆蓋膜、環(huán)氧樹脂覆蓋膜、PVC薄膜基材、PEN薄膜、聚四氟乙烯基材、LCP液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)保護膜材或感光與非感光油墨膜層。

7.如權利要求4所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述粘結膠層為亞克力純膠片、丙烯酸純膠片、環(huán)氧樹脂純膠片或熱固形與熱塑性的粘結膠片。

8.如權利要求4所述的一種采用激光刻蝕形成電路與圖形的電路板加工工藝，其特征在于：所述步驟S4中高溫壓合時，在最外層還貼附牛皮紙、鋁薄片、橡膠墊、硅膠墊或用于阻止膠水過分流動的TPX阻膠膜/離型膜。