[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201810096459.4
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN110092345B
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 胡永剛;周國平;夏長奉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

本發明涉及一種MEMS器件及其制備方法，所述MEMS器件包括：基底，所述基底包括測試區與非測試區，所述測試區與非測試區之間設有挖空的隔離槽，所述隔離槽環繞所述測試區設置；連接結構，所述測試區通過所述連接結構與所述非測試區相連接，所述連接結構為薄膜結構或硅懸臂梁結構。上述MEMS器件，設有隔離槽，該隔離槽環繞設置于測試區外邊，其測試區通過且僅通過特定的連接結構與基底材料的其他區域(即非測試區)相連接。采用上述結構，該連接結構不會將非測試區形變形成的力傳遞到測試區，以消除非測試區的形變對上述MEMS器件測試時的影響，使測試結果更準確。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種MEMS(Micro Electro MechanicalSystems,微機電系統)器件及其制備方法。

背景技術

MEMS技術被譽為21世紀帶有革命性的高新技術，其發展始于20世紀60年代，MEMS是英文Micro Electro Mechanical System的縮寫，即微電子機械系統。微電子機械系統(MEMS)是近年來發展起來的一種新型多學科交叉的技術，該技術將對未來人類生活產生革命性的影響。MEMS的基礎技術主要包括硅各向異性刻蝕技術、硅鍵合技術、表面微機械技術、LIGA技術等，這些技術已成為研制生產MEMS必不可少的核心技術。

由于MEMS器件所使用的基底材料在生產制造過程中會發生形變，這些形變施加一定的力在MEMS產品上，并且這種力的影響很難在測試過程中消除，這就會影響MEMS產品微機械結構的力學和形貌等特性測試的準確性。實際中，為了會消除這種影響，會在劃片之后測試。但這會增加測試周期，并且使測試系統更復雜，不利于MEMS產品的質量控制。

發明內容

基于此，有必要針對MEMS器件所使用的基底材料，在生產制造過程中會發生形變的問題，提供一種MEMS器件。

還提供一種MEMS器件的制備方法。

一種MEMS器件，所述MEMS器件包括：

基底，所述基底包括測試區與非測試區，所述測試區與非測試區之間設有至少一層挖空的隔離槽，所述隔離槽環繞所述測試區設置；

連接結構，所述測試區通過所述連接結構與所述非測試區相連接，所述連接結構為薄膜結構或懸臂梁結構。

上述MEMS器件，設有至少一層的隔離槽，該隔離槽環繞設置于測試區外邊，其測試區通過且僅通過特定的連接結構與基底材料的其他區域(即非測試區)相連接。采用上述結構，該連接結構不會將非測試區形變形成的力傳遞到測試區，以消除非測試區的形變對上述MEMS器件測試時的影響，使測試結果更準確。

在其中一個實施例中，所述連接結構至少包括氧化層，以及第一POLY層、犧牲層與第二POLY層中的一層或多層。

在其中一個實施例中，所述連接結構從下到上依次包括：氧化層、第一POLY層、犧牲層及第二POLY層。

在其中一個實施例中，所述測試區上方設有基底上的所述第一POLY層、和所述第一POLY層上方的所述第二POLY層，所述第二POLY層形成懸臂梁結構，所述第二POLY層和所述第一POLY層之間的部分犧牲層被去除，形成鏤空結構。

一種MEMS器件的制備方法：

提供基底且在所述基底上生成氧化層；

在所述氧化層上形成第一POLY層并進行圖案化處理；

在所述第一POLY層上形成犧牲層，并通過光刻和刻蝕在所述犧牲層表面形成若干淺槽；

在所述犧牲層上形成第二POLY層并進行圖案化處理，用作對所述犧牲層進行腐蝕處理；