[發明專利]一種MEMS器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201810096459.4 | 申請日： | 2018-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN110092345B | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發明（設計）人： | 胡永剛;周國平;夏長奉 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件為未封裝的芯片裸片，且包括：
基底，所述基底為圓片，且所述基底包括測試區與非測試區，所述測試區與所述非測試區之間設有至少一層挖空的隔離槽，所述隔離槽環繞所述測試區設置，以在生產制造過程中消除基底材料其他區域的形變對測試區的影響；
連接結構，所述測試區通過所述連接結構與所述非測試區相連接，所述連接結構為薄膜結構或懸臂梁結構。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述連接結構至少包括氧化層、第一POLY層、犧牲層與第二POLY層中的一層或多層。
3.根據權利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述連接結構從下到上依次包括：氧化層、第一POLY層、犧牲層及第二POLY層。
4.根據權利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，所述測試區上方設有基底上的所述第一POLY層、和所述第一POLY層上方的所述第二POLY層，所述第二POLY層形成懸臂梁結構，所述第二POLY層和所述第一POLY層之間的部分犧牲層被去除，形成鏤空結構。
5.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述MEMS器件為未封裝的芯片裸片，且所述方法包括：
提供基底且在所述基底上生成氧化層，所述基底為圓片；
在所述氧化層上形成第一POLY層并進行圖案化處理；
在所述第一POLY層上形成犧牲層，并通過光刻和刻蝕在所述犧牲層表面形成若干淺槽；
在所述犧牲層上形成第二POLY層并進行圖案化處理，形成多個釋放孔；
從背面刻蝕所述基底形成背腔及隔離槽，所述隔離槽將所述基底分隔為測試區與非測試區，所述隔離槽環繞所述測試區設置，以在生產制造過程中消除基底材料其他區域的形變對測試區的影響，所述背腔為所述測試區的基底被刻蝕形成。
6.根據權利要求5所述的MEMS器件的制備方法，其特征在于，在所述從背面刻蝕所述基底形成背腔及隔離槽步驟之前，包括：
通過第二POLY層的釋放孔在犧牲層上刻蝕通孔至第一POLY層。
7.根據權利要求6所述的MEMS器件的制備方法，其特征在于，在所述通過第二POLY層的釋放孔在犧牲層上刻蝕通孔至第一POLY層之后，包括：
在所述第二POLY層上生長一層金屬層；
對所述金屬層進行光刻和刻蝕處理，形成金屬連線。
8.根據權利要求5所述的MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述第二POLY層的剛性和張應力大于所述第一POLY層的。
9.根據權利要求5所述的MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度設置為2.5μm-3.5μm。
10.根據權利要求5所述的MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述淺槽的深度設置為0.5μm-1μm。
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