[發(fā)明專利]一種GO/SiO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810096437.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108246130B | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉建益;劉燕;楊榮光;孟敏佳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B01D71/68 | 分類號(hào)： | B01D71/68;B01D69/12;B01D69/02;B01D67/00;B01D61/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 go sio base sub | ||
1.一種GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）制備氧化石墨烯/二氧化硅復(fù)合納米材料GO/SiO2：
取GO分散于乙醇/水的混合溶液中，超聲；將得到的混合液，用氨水調(diào)節(jié)溶液pH值后，滴加正硅酸四乙酯，超聲；室溫靜置，離心，乙醇清洗后，真空干燥，得到GO/SiO2；
（2）制備GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜：
將聚砜超濾膜用聚四氟乙烯框架固定在玻璃板上；將GO/SiO2分散于含有Na2CO3、十二烷基硫酸鈉的哌嗪/水溶液中超聲后，得到混合液傾倒于聚砜超濾膜表面，靜置，倒去多余的溶液，除去膜上的遺留水分；將1,3,5-苯三甲酰氯/己烷溶液傾倒于膜表面，室溫靜置后，倒去多余溶液；將膜進(jìn)行熱處理后，取出膜用去離子水沖洗，保存于冰水浴中，得到GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜；步驟（1）中，所述用氨水調(diào)節(jié)溶液pH值至8.5~9.5；步驟（2）中，所述哌嗪/水溶液中GO/SiO2的濃度為0.002~0.02%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述GO與乙醇/水的混合溶液的用量比為10~20mg：150mL，其中，乙醇與水的體積比為5：1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，GO與正硅酸四乙酯的用量比為10~20mg：0.4~0.8mL。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述室溫靜置的時(shí)間為24h；所述真空干燥的溫度為50℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，哌嗪/水溶液中，哌嗪的濃度為1~3 wt%，Na2CO3的濃度為0.1 wt%，十二烷基硫酸鈉的濃度為0.1 wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，超聲的時(shí)間為1h；靜置的時(shí)間為3~5 min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述除去膜上的遺留水分包括除去膜的上表面的水分、下表面與玻璃板之間的水分，具體方法為：用軟橡膠滾輪除去膜表面水滴，用濾紙擦除膜下表面與玻璃板之間的水分后，膜重新用聚四氟乙烯板固定后，置于室溫下使膜表面水分自然揮發(fā)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，1,3,5-苯三甲酰氯/己烷溶液的質(zhì)量為30g，1,3,5-苯三甲酰氯/己烷溶液中1,3,5-苯三甲酰氯的濃度為0.1~0.3 wt/v%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，室溫靜置的時(shí)間為30~90s。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GO/SiO2改性的納米復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，熱處理的溫度為70℃，熱處理的時(shí)間為5~10 min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇大學(xué)，未經(jīng)江蘇大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810096437.8/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- SiO蒸鍍材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
- 含銀核殼結(jié)構(gòu)智能殺菌劑
- 一種用于SiO<sub>2r</sub>/SiO<sub>2</sub>復(fù)合陶瓷與金屬材料釬焊的工藝方法
- 一種SiO<sub>2</sub>減反射薄膜及其制備方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化復(fù)合涂層及其制備方法
- 一種用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基復(fù)合材料連接的釬料及其制備方法
- 可固化組合物及其制法
- Ag/SiO
- 一種富硅SiOx-C材料及其制備方法和應(yīng)用
- 疏水型SiO<base:Sub>2f
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法
