[發明專利]微型OLED顯示裝置及其制作方法在審
| 申請號: | 201810090618.X | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108336023A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 吳疆 | 申請(專利權)人: | 上海瀚蒞電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 蘇州攜智匯佳專利代理事務所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹麗 |
| 地址: | 202150 上海市崇明區橫沙鄉富民*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機層 薄膜封裝層 基板 無機薄膜封裝層 方向相反 沉積 封裝 制作 工藝過程 厚度減小 依次層疊 光串擾 透過率 水氣 多層 兩層 抵消 | ||
本發明提供了微型OLED顯示裝置,包括基板、設置于所述基板上的OLED器件以及封裝所述OLED器件的薄膜封裝層。所述薄膜封裝層為無機薄膜封裝層。所述無機薄膜封裝層具有至少兩層依次層疊的無機層,相鄰的所述無機層之間呈現的應力方向相反。本發明還提供了該微型OLED顯示裝置的制作方法,通過在基板及OLED器件上沉積多層無機層以實現對OLED器件的封裝,通過控制相鄰無機層之間的應力方向相反,使得相鄰無機層之間的應力相互抵消,以沉積出厚度小、應力低、水氣透過率低的薄膜封裝層,工藝過程簡單;采用該方法制作的微型OLED顯示裝置的薄膜封裝層的厚度減小,減少了出光串擾。
技術領域
本發明涉及有機光電器件技術領域,尤其涉及一種微型OLED顯示裝置及其制作方法。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)器件具有響應速度快、視角寬、亮度高、低功耗等優異性能,并且為自發光器件,被認為是具有很大發展前景的下一代顯示技術。
硅基微顯示器是一種高PPI(Pixels Per Inch)顯示器件。目前,主要采用的是平面RGB結構和白光OLED加RGB濾光片這兩種彩色實現方案實現彩色顯示。對于平面RGB結構,采用的是將并列的RGB子像素復合為彩色像素。RGB子像素分別發出亮度可變的光,經空間混色后呈現出不同亮度的彩色光。該方案是目前實現OLED全彩色顯示最簡單的方法,不需要額外的功率消耗,但是,該方案需要單獨的生長RGB三基色OLED,增加了生產成本。對于白光OLED加RGB濾光片結構,是將白光OLED發出的光經RGB三基色濾光片濾光后再實現RGB三色的混合。該方案中不需要單獨的生長RGB三基色OLED,降低了生產成本。目前,硅基微顯示器多采用白光OLED加RGB濾光片的方案實現彩色顯示。
有效的封裝可以防止有機材料老化,延長OLED器件壽命。目前,硅基微顯示器多采用薄膜封裝,即有機材料與無機材料交替沉積的方式,其中,無機層采用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)沉積,有機層多采用有機打印技術形成。請參閱圖1所示,采用現有封裝工藝制作的OLED顯示裝置,包括基板1、白光OLED層2、RGB濾光片3以及用于封裝白光OLED層2的薄膜封裝層4。其中,薄膜封裝層4中的有機層較厚,形成的薄膜封裝層4的厚度D大于7μm,導致存在嚴重的出光串擾。
有鑒于此,有必要提供一種改進的微型OLED顯示裝置及其制作方法,以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種降低封裝層厚度、減少出光串擾的微型OLED顯示裝置及其制作方法。
為實現上述發明目的,本發明提供了一種微型OLED顯示裝置,包括基板、設置于所述基板上的OLED器件以及封裝所述OLED器件的薄膜封裝層,所述薄膜封裝層為無機薄膜封裝層,所述無機薄膜封裝層具有至少兩層依次層疊的無機層,相鄰的所述無機層之間呈現的應力方向相反。
作為本發明的進一步改進,單層所述無機層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種或者多種。
作為本發明的進一步改進,通過等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積法形成所述無機層。
作為本發明的進一步改進,所述無機薄膜封裝層具有四層無機層,依次為第一無機層、第二無機層、第三無機層以及第四無機層,所述第一無機層沉積于所述基板上,所述第二無機層沉積于所述第一無機層上,所述第三無機層沉積于所述第二無機層上,所述第四無機層沉積于所述第三無機層上,所述第一無機層、所述第三無機層呈現拉應力,所述第二無機層、所述第四無機層呈現壓應力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





