[發明專利]微型OLED顯示裝置及其制作方法在審
| 申請號: | 201810090618.X | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108336023A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發明(設計)人: | 吳疆 | 申請(專利權)人: | 上海瀚蒞電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 蘇州攜智匯佳專利代理事務所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹麗 |
| 地址: | 202150 上海市崇明區橫沙鄉富民*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無機層 薄膜封裝層 基板 無機薄膜封裝層 方向相反 沉積 封裝 制作 工藝過程 厚度減小 依次層疊 光串擾 透過率 水氣 多層 兩層 抵消 | ||
1.一種微型OLED顯示裝置,包括基板、設置于所述基板上的OLED器件以及封裝所述OLED器件的薄膜封裝層,其特征在于:所述薄膜封裝層為無機薄膜封裝層,所述無機薄膜封裝層具有至少兩層依次層疊的無機層,相鄰的所述無機層之間呈現的應力方向相反。
2.根據權利要求1所述的微型OLED顯示裝置,其特征在于:單層所述無機層的材料為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種或者多種。
3.根據權利要求2所述的微型OLED顯示裝置,其特征在于:通過等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積法形成所述無機層。
4.根據權利要求1所述的微型OLED顯示裝置,其特征在于:所述無機薄膜封裝層具有四層無機層,依次為第一無機層、第二無機層、第三無機層以及第四無機層,所述第一無機層沉積于所述基板上,所述第二無機層沉積于所述第一無機層上,所述第三無機層沉積于所述第二無機層上,所述第四無機層沉積于所述第三無機層上,所述第一無機層、所述第三無機層呈現拉應力,所述第二無機層、所述第四無機層呈現壓應力。
5.根據權利要求1所述的微型OLED顯示裝置,其特征在于:所述無機薄膜封裝層具有四層無機層,依次為第一無機層、第二無機層、第三無機層以及第四無機層,所述第一無機層沉積于所述基板上,所述第二無機層沉積于所述第一無機層上,所述第三無機層沉積于所述第二無機層上,所述第四無機層沉積于所述第三無機層上,所述第一無機層、所述第三無機層呈現壓應力,所述第二無機層、所述第四無機層呈現拉應力。
6.根據權利要求1所述的微型OLED顯示裝置,其特征在于:所述無機薄膜封裝層的厚度小于1um。
7.一種微型OLED顯示裝置的制作方法,包括如下步驟:
S1,提供基板,在所述基板上形成OLED器件;
S2,采用原子層沉積技術在所述基板、所述OLED器件上沉積第一無機層;
S3,采用原子層沉積技術在所述第一無機層上形成第二無機層;
其中,所述第一無機層與所述第二無機層呈現的應力方向相反。
8.根據權利要求7所述的微型OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于:還包括如下步驟:
S4,采用原子層沉積技術在所述第二無機層上形成第三無機層;
S5,采用原子層沉積技術在所述第三無機層上形成第四無機層;
其中,相鄰的無機層之間呈現的應力方向相反。
9.根據權利要求8所述的微型OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于:在形成所述第二無機層之前還包括對所述第一無機層進行表面活化處理,在形成所述第三無機層之前還包括對所述第二無機層進行表面活化處理,在形成所述第四無機層之前還包括對所述第三無機層進行表面活化處理。
10.根據權利要求9所述的微型OLED顯示裝置的制作方法,其特征在于:通過控制原子層沉積過程中的反應溫度、氣體濃度或者反應氣體的量以實現控制無機層呈現的應力方向。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





