[發明專利]一種顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制造方法

有效

• 申請號: 201810089038.9
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108231799B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 鄭斌義;吳玲;沈柏平
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1362
• 代理公司: 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：

襯底基板；

位于襯底基板上呈陣列分布的多個開關單元；

每個所述開關單元包括：

位于所述襯底基板上的柵極絕緣層；

位于所述柵極絕緣層和所述襯底基板之間的溝道、第一半導體層和第二半導體層，所述溝道、所述第一半導體層和所述第二半導體層同層設置，且所述第一半導體層與所述溝道的一端電連接，所述第二半導體層與所述溝道的另一端電連接；

位于所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板一側的第一絕緣層；

沿所述多個開關單元的列方向延伸，沿所述多個開關單元的行方向排列的多條數據線，所述多條數據線與多列開關單元一一對應設置，所述數據線位于所述柵極絕緣層和所述襯底基板之間，所述數據線在所述襯底基板上的正投影與所述第一半導體層在所述襯底基板上的正投影相交疊，且所述數據線與所述第一半導體層直接電連接；

沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多條掃描線，所述多條掃描線與多行開關單元一一對應設置，所述掃描線位于所述第一絕緣層遠離所述襯底基板一側，所述掃描線通過貫穿所述第一絕緣層的過孔與所述柵極絕緣層接觸，其中，所述溝道在所述襯底基板上的正投影位于貫穿所述第一絕緣層的過孔在所述襯底基板上的正投影內；

所述數據線位于所述第一半導體層靠近所述襯底基板的一側，所述第一半導體層覆蓋在所述數據線遠離所述襯底基板的一側，所述數據線與所述第一半導體層直接接觸；或者所述數據線位于所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述數據線與所述第一半導體層直接接觸。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

位于所述溝道靠近所述襯底基板一側的緩沖層；

位于所述緩沖層靠近所述襯底基板一側的遮光層，所述溝道在所述襯底基板上的正投影位于所述遮光層在所述襯底基板上的正投影內。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

位于所述掃描線遠離所述襯底基板一側的平坦化層；

位于所述平坦化層遠離所述襯底基板一側的多個像素電極，所述多個像素電極與所述多個開關單元一一對應設置，所述像素電極通過貫穿所述平坦化層、所述第一絕緣層和所述柵極絕緣層的過孔與所述第二半導體層藕接。

4.如權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

多個金屬導電部，所述多個金屬導電部與所述多個開關單元一一對應設置，所述金屬導電部位于所述第二半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述金屬導電部在所述襯底基板上的正投影與所述第二半導體層在所述襯底基板上的正投影相交疊，所述金屬導電部與所述第二半導體層直接電連接，所述像素電極通過貫穿所述平坦化層、所述第一絕緣層和所述柵極絕緣層的過孔與所述金屬導電部電連接。

5.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述掃描線和所述金屬導電部的材料包括鉬。

6.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括：

液晶層和彩膜基板；

其中，所述液晶層位于所述襯底基板和所述彩膜基板之間。

7.如權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：

黑色矩陣；

所述黑色矩陣包括：

沿所述列方向延伸，沿所述行方向排列的多個第一黑色子矩陣；

沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多個第二黑色子矩陣；

所述多個開關在所述襯底基板上的正投影位于所述第二黑色子矩陣在所述襯底基板上的正投影內。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至7中任一項所述的顯示面板。

9.一種顯示面板的制造方法，其特征在于，所述方法應用于如權利要求1至7中任一項所述的顯示面板，所述方法包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成沿列方向延伸，沿行方向排列的多條數據線，以及在所述襯底基板上形成溝道、第一半導體層和第二半導體層，所述溝道、所述第一半導體層和所述第二半導體層同層形成，其中，所述第一半導體層與所述溝道的一端電連接，所述第二半導體層與所述溝道的另一端電連接，所述數據線在所述襯底基板上的正投影與所述第一半導體層在所述襯底基板上的正投影相交疊，且所述數據線與所述第一半導體層直接電連接，其中，所述數據線位于所述第一半導體層靠近所述襯底基板的一側，所述第一半導體層覆蓋在所述數據線遠離所述襯底基板的一側，所述數據線與所述第一半導體層直接接觸；或者所述數據線位于所述第一半導體層遠離所述襯底基板的一側，所述數據線與所述第一半導體層直接接觸；

在所述溝道、所述第一半導體層和所述第二半導體層遠離所述襯底基板的一側形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側形成第一絕緣層；

形成貫穿所述第一絕緣層的過孔，所述溝道在所述襯底基板上的正投影位于貫穿所述第一絕緣層的過孔在所述襯底基板上的正投影內；

在所述第一絕緣層遠離所述襯底基板一側形成沿所述行方向延伸，沿所述列方向排列的多條掃描線，所述掃描線通過貫穿所述第一絕緣層的過孔與所述柵極絕緣層接觸。