[發(fā)明專利]包括凹入式柵電極部分的半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810087764.7 | 申請日： | 2018-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN108461494B | 公開（公告）日： | 2023-01-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭鉉澔;李正允;權(quán)臺純;閔庚石;成金重;林青美;池雅凜;洪承秀 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 凹入式柵 電極 部分 半導(dǎo)體器件 | ||
半導(dǎo)體器件可以包括襯底上的第一有源圖案，第一有源圖案包括從襯底突出的多個(gè)第一有源區(qū)。第二有源圖案可以在襯底上，包括從襯底突出的多個(gè)第二有源區(qū)。第一柵電極可以包括以第一高度在第一有源圖案上延伸的上部，并且包括以比第一柵電極的第一高度低的第二高度在第一有源圖案上延伸的凹入部分。第二柵電極可以包括以第一高度在第二有源圖案上延伸的上部，并且包括以比第二柵電極的第一高度低的第二高度在第二有源圖案上延伸的凹入部分。絕緣圖案可以位于第一柵電極的凹入部分和第二柵電極的凹入部分之間，并且與第一柵電極的凹入部分和第二柵電極的凹入部分直接相鄰，絕緣圖案使第一柵電極和第二柵電極彼此電隔離。
相關(guān)申請的交叉引用
本專利申請要求于2017年2月20日提交的韓國專利申請No.10-2017-0022372的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件可以分為存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器件、對數(shù)據(jù)執(zhí)行處理操作的半導(dǎo)體邏輯器件以及包括存儲元件和邏輯元件兩者的混合半導(dǎo)體器件。越來越多地要求半導(dǎo)體器件提供更高的可靠性、更高的操作速度和/或多功能能力，這可能增加這些器件的復(fù)雜性。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例可以提供包括凹入柵電極部分的半導(dǎo)體器件。
按照根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的這些實(shí)施例，半導(dǎo)體器件可以包括襯底上的第一有源圖案和第二有源圖案。第一柵電極和第二柵電極可以分別延伸跨過第一有源圖案和第二有源圖案。絕緣圖案可以位于第一柵電極和第二柵電極之間以將第一柵電極和第二柵電極彼此分開，其中第一柵電極、絕緣圖案和第二柵電極沿第一方向布置。此外，第一柵電極可以包括在第一方向上延伸的第一部分以及在第一部分和絕緣圖案之間的第二部分，第二部分的頂表面的高度低于第一部分最靠近第二部分的頂表面的高度。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以包括襯底上的PMOSFET區(qū)域和NMOSFET區(qū)域、延伸跨過PMOSFET區(qū)域的第一柵電極以及延伸跨過NMOSFET區(qū)域的第二柵電極。絕緣圖案可以位于第一柵電極和第二柵電極之間，其中第一柵電極和第二柵電極中的每一個(gè)包括與絕緣圖案相鄰的、相對于第一柵電極和第二柵電極的遠(yuǎn)離絕緣圖案的相應(yīng)部分而言的凹入頂部。
在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件可以包括襯底上的第一有源圖案，第一有源圖案包括從襯底突出的多個(gè)第一有源區(qū)。第二有源圖案可以在襯底上，包括從襯底突出的多個(gè)第二有源區(qū)。第一柵電極可以包括以第一高度在第一有源圖案上延伸的上部，并且包括以比第一柵電極的第一高度低的第二高度在第一有源圖案上延伸的凹入部分。第二柵電極可以包括以第一高度在第二有源圖案上延伸的上部，并且包括以比第二柵電極的第一高度低的第二高度在第二有源圖案上延伸的凹入部分。絕緣圖案可以位于第一柵電極的凹入部分和第二柵電極的凹入部分之間，并且與第一柵電極的凹入部分和第二柵電極的凹入部分直接相鄰，絕緣圖案使第一柵電極和第二柵電極彼此電隔離。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。
圖2A至圖2E是分別沿圖1的A-A’線、B-B’線、C-C’線、D-D’線和E-E’線截取的截面圖。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的第一柵電極和第二柵電極以及絕緣圖案的透視圖。
圖4A和圖4B是出于比較目的示出了與沿圖1的B-B’線和D-D’線截取的結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)器件的截面圖表示。
圖5、圖7、圖9、圖11、圖13和圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的平面圖。
圖6A、圖8A、圖10A、圖12A、圖14A和圖16A是分別沿圖5、圖7、圖9、圖11、圖13、圖15的A-A’線截取的截面圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
