[發明專利]一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法

在審

• 申請號: 201810087720.4
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108243893A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 俞高強
• 申請（專利權）人: 昆山合縱生態科技有限公司
• 主分類號: A01G22/60
• 分類號: A01G22/60;A01B79/02;C05G3/04
• 代理公司: 北京君華知識產權代理事務所(普通合伙) 11515
• 代理人: 朱慶華

本發明提供了一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，采用了特制的生物改良肥料對重度鹽堿地進行改良，已經公開的專利中已經公開了同溫層芽胞桿菌對改良鹽堿地的應用，但是土壤脫鹽率只有55%，而應用于重度鹽堿地，效果并不明顯，為了提高脫鹽效果，本發明中將比萊青霉和點青霉與同溫層芽胞桿菌一起應用，將土壤脫鹽率提高至95%以上。針對重度低洼鹽堿地鹽度高、堿度高，排水困難的特點，通過埋設暗管、挖水處理坑對水進行過濾和鹽分隔離、挖通到地下水的集水井排水的方式，比傳統的挖排水溝的方式排水效果好很多，解決了低洼鹽堿地地區的鹽害和澇害問題。

技術領域

本發明涉及鹽堿地的改良技術領域，具體來說，涉及一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法。

背景技術

鹽堿地是鹽地和堿地的總稱。鹽土主要指含氯化物或硫酸鹽較高的鹽漬化土壤，土壤呈堿性，但 pH 值不一定很高。堿地是指含碳酸鹽或重磷酸鹽的土壤，pH 值較高，土壤呈 堿性。鹽堿地的有機質含量少，土壤肥力低，理化性狀差，對作物有害的陰、陽離子多，作物 不易促苗。全世界鹽堿地的面積為 9.5438 億公頃，其中我國為 9913 萬公頃。我國堿地和堿 化土壤的形成，大部分與土壤中碳酸鹽的累計有關，因而堿化度普遍較高，嚴重的鹽堿地地 區植物幾乎不能生存。土地的鹽堿化已經是世界范圍內的生態問題，目前全球范圍內的土 地鹽堿化程度呈明顯上升趨勢，土地的鹽堿化已經成為世界農業可持續發展的重要限制因 素。對于鹽堿地的改良，常用的方法有 ：1、洗鹽，洗鹽就是把水灌到鹽堿地里，使土壤鹽分溶 解，通過下滲把表土層中的可溶性鹽堿排到深層土中或淋洗出去，側滲入排水溝加以排除 ； 2、平整土地，平整土地可使水分均勻下滲，提高降雨淋鹽和灌溉洗鹽的效果，防止土壤斑狀 鹽漬化 ；3、適時耙地，耙地可疏松表土，截斷土壤毛細管水向地表輸送鹽分，起到防止返鹽 的作用 ；4、增施有機肥，合理施用化肥，有機肥經微生物分解、轉化形成腐殖質，能提高土壤理劑“治堿”對土壤進行有效改良。

濱海鹽堿地面積大、土壤含鹽量高、地下水礦化度高且埋深比較淺，尤其是排水不暢的低洼鹽堿地，植物受鹽害和澇害的雙害危害，導致低洼鹽堿地植物成苗難、生產發育遲緩，產量較低。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，該方法可以將鹽堿地土壤逐漸調節至正常土壤。

一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，按照下述步驟進行：

A、在低洼鹽堿地的中心挖大坑，每畝挖一大坑，深度為3-5m，面積為20-30m²，并在內圍用15-25cm混凝土固定，用挖出的土將深坑四周的地面墊高越5-10cm，形成苗圃；

B、在坑內中間部位挖直徑為1m的集水井，深度以達到地下水為止，坑的其余部分從高到低依次墊上原土層、細砂層、礫石層；最終高度與四周齊平；

C、田間埋設暗管：暗管直徑12cm，暗管周壁180°一側設置滲水孔；暗管間距5米，埋深1.2米，長度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；

D、采用深耕的方式，將土進行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；

E、待雨季過后，將過磷酸鈣拋灑在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦帶溝寬90-110cm、高20-30cm作畦，采用單行壟作栽培，壟間距90-110cm，株距20-40cm；

F、在壟中間開種植坑，先在坑內放入生物改良肥料，放入花卉樹苗后，原土回填；

G、定期追加生物改良肥料。

優選的，所述生物改良肥料包括以下成分：粘土、膨脹蛭石粉、微生物復合菌劑、氮肥、鉀肥、磷肥、腐殖酸和水。