[發明專利]一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法

在審

• 申請號: 201810087720.4
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108243893A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 俞高強
• 申請（專利權）人: 昆山合縱生態科技有限公司
• 主分類號: A01G22/60
• 分類號: A01G22/60;A01B79/02;C05G3/04
• 代理公司: 北京君華知識產權代理事務所(普通合伙) 11515
• 代理人: 朱慶華

1.一種在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，其特征在于，按照下述步驟進行：

A、在低洼鹽堿地的中心挖大坑，每畝挖一大坑，深度為3-5m，面積為20-30m²，并在內圍用15-25cm混凝土固定，用挖出的土將深坑四周的地面墊高越5-10cm，形成苗圃；

B、在坑內中間部位挖直徑為1m的集水井，深度以達到地下水為止，坑的其余部分從高到低依次墊上原土層、細砂層、礫石層；最終高度與四周齊平；

C、田間埋設暗管：暗管直徑12cm，暗管周壁180°一側設置滲水孔；暗管間距5米，埋深1.2米，長度10-15米，坡降比0.3-0.7%；暗管端部通入坑中；

D、采用深耕的方式，將土進行翻耕、平整，翻耕的深度在20-30cm；

E、待雨季過后，將過磷酸鈣拋灑在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦帶溝寬90-110cm、高20-30cm作畦，采用單行壟作栽培，壟間距90-110cm，株距20-40cm；

F、在壟中間開種植坑，先在坑內放入生物改良肥料，放入花卉樹苗后，原土回填；

G、定期追加生物改良肥料。

2.如權利要求1所述的在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，其特征在于，所述生物改良肥料包括以下成分：粘土、膨脹蛭石粉、微生物復合菌劑、氮肥、鉀肥、磷肥、腐殖酸和水。

3.如權利要求1所述的在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，其特征在于，所述生物改良肥料包括以下重量百分比的成分：粘土 8-20%、膨脹蛭石粉 2-5%、微生物復合菌劑 0.5-2%、氮肥 20-30%、鉀肥 5-8%、磷肥 10-15%、腐殖酸 15-25%和水 余量。

4.如權利要求2或3所述的在重度污染低洼鹽堿地進行苗圃花卉種植的方法，其特征在于，所述的微生物復合菌劑中的菌種為同溫層芽胞桿菌、比萊青霉和點青霉。

5.如權利要求4所述的所述的微生物復合菌劑中，各菌種的有效活菌數均≥1億/g。