[發明專利]半導體封裝裝置和其制造方法

有效

• 申請號: 201810087487.X
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108735686B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 蔡崇宣
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝裝置，包括：

裸片，其具有活性表面、與所述活性表面相對的背表面和在所述活性表面與所述背表面之間延伸的側表面；

第一傳導柱，安置于所述裸片的所述活性表面上且電連接到所述裸片，所述第一傳導柱具有頂表面及大體上垂直于所述第一傳導柱的所述頂表面的側表面，所述頂表面面向遠離所述裸片的方向；

介電層，安置于所述裸片的所述活性表面上且完全地覆蓋所述第一傳導柱的所述側表面，其中所述第一傳導柱的所述頂表面比所述介電層的所述頂表面低；以及

封裝主體，囊封裸片的所述背表面和所述側表面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述介電層具有頂表面，所述頂表面面向遠離所述裸片的方向，且其中所述第一傳導柱的所述頂表面自所述介電層的所述頂表面凹陷。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述第一傳導柱的所述頂表面及所述介電層界定一凹陷部。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝裝置，進一步包括電連接件，安置在所述凹陷部中且電連接至所述第一傳導柱的所述頂表面。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝裝置，進一步包括鈍化層，安置于所述凹陷部中且覆蓋所述第一傳導柱的所述頂表面。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝裝置，進一步包括傳導觸點，安置于所述鈍化層上且通過所述電連接件而電連接到所述第一傳導柱。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝裝置，其中所述鈍化層安置于所述介電層及所述封裝主體上。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝裝置，其中所述鈍化層的側表面與所述封裝主體的側表面大體上共面。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述介電層的側表面與所述裸片的所述側表面大體上共面。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述介電層的頂表面與所述封裝主體的頂表面大體上共面，其中所述介電層的所述頂表面面向遠離所述裸片的方向，且所述封裝主體的所述頂表面面向遠離所述裸片的方向。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，進一步包括第二傳導柱，安置于所述裸片的所述活性表面上，其中所述第一傳導柱的一高度與所述第二傳導柱的一高度之間的差異值大于0μm且小于2μm。

12.一種半導體封裝裝置，包括：

裸片，其具有活性表面、與所述活性表面相對的背表面和在所述活性表面與所述背表面之間延伸的側表面；

第一傳導柱，安置于所述裸片的所述活性表面上且電連接到所述裸片；

介電層，安置于所述裸片的所述活性表面上，所述介電層具有頂表面，其中所述頂表面面向遠離所述裸片的方向；以及

封裝主體，其囊封所述裸片的所述背表面和所述側表面；

其中所述第一傳導柱的頂表面低于所述介電層的所述頂表面。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝裝置，其中所述第一傳導柱具有頂表面自所述介電層的所述頂表面凹陷。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置，其中所述第一傳導柱的所述頂表面與所述介電層的所述頂表面之間的距離小于2μm。

15.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置，其中所述第一傳導柱的所述頂表面及所述介電層的所述頂表面界定一凹陷部。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝裝置，進一步包括：電連接件，安置在所述凹陷部中且電連接至所述第一傳導柱的所述頂表面。