[發明專利]多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201810087212.6 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108072924A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 周東平 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/10 | 分類號: | G02B1/10;G02B5/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工業園區婁*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬膜層 黑鉻 集成濾光片 多通道 隔離結構 漫反射光 噴砂處理 剩余反射率 消光層 光學透過性能 工作性能 光學薄膜 基片表面 使用壽命 有效實現 漫反射 氧化物 粗糙 制造 隔離 | ||
本發明揭示了一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構,包括設置在基片表面的噴砂處理面,設置在噴砂處理面上的黑鉻金屬膜層,還包括設置在黑鉻金屬膜層上的消光層。本發明還揭示了一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構的制造方法。本發明利用黑鉻金屬膜層滿足光學透過性能低的要求,同時,利用由四層氧化物光學薄膜組成的消光層降低黑鉻金屬膜層的剩余反射率,再者,通過設置粗糙的噴砂處理面,使得黑鉻金屬膜層具有漫反射特性,在各個方向都具有較低的剩余反射率,并使得黑鉻金屬膜層與基片結合得更牢固可靠;可有效實現多通道集成濾光片各通道之間的隔離,保障多通道集成濾光片的工作性能,還具有使用壽命長的優點。
技術領域
本發明涉及光學儀器技術領域,具體涉及一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構及其制造方法。
背景技術
在對地遙感和觀察衛星上使用的光學成像系統,由于其高可靠性要求和苛刻的體積要求,在光路中常常采用多通道集成濾光片來實現不同波長光的分離。多通道集成濾光片是將若干個通道的窄帶濾光片通過特殊的多道工藝依次制備在同一塊基片上形成的。通道間的隔離就要使用光隔離結構,以實現對通道間的空白區域涂黑,阻止光線通過空白區,避免引起通道間信號的串擾;同時光隔離結構又要使得入射光線的剩余反射盡可能地小,以免剩余反射的光線經過多次反射后引起信號噪聲。這就要求光隔離結構具備兩個作用:一、阻止光線通過(在要求波段上透過率低);二、消光(在要求波段上具有低的剩余反射率)。
現有技術中,通常采用在通道間的空白區域涂上黑漆的方式形成光隔離結構,雖然能滿足光隔離結構的基本性能,可以在地表常規環境中使用,但耐惡劣環境的性能差,太空環境強烈的紫外輻射會很快引起其結構變化,使用壽命短。
發明內容
本發明的目的在于提供一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構及其制造方法。
為實現上述發明目的之一,本發明采用如下技術方案:
一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構,包括設置在基片表面的噴砂處理面,所述噴砂處理面的分布區域與多通道集成濾光片通道間的空白區域相對應;
黑鉻金屬膜層,所述黑鉻金屬膜層設置在所述噴砂處理面上,以阻止光線通過;
還包括消光層,所述消光層由第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層組成,所述第一氧化鉻膜層設置在所述黑鉻金屬膜層上,所述第一二氧化硅膜層設置在所述第一氧化鉻膜層上,所述第二氧化鉻膜層設置在所述第一二氧化硅膜層上,所述第二二氧化硅膜層設置在所述第二氧化鉻膜層上。
作為本發明進一步改進的技術方案,所述黑鉻金屬膜層的厚度為200-500納米,所述第一氧化鉻膜層的厚度為45-50納米,所述第一二氧化硅膜層的厚度為200-220納米,所述第二氧化鉻膜層的厚度為120-140納米,所述第二二氧化硅膜層的厚度為85-95納米。
為實現上述另一發明目的,本發明采用如下技術方案:
一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結構的制造方法,包括以下步驟:
S1、在基片上設置掩膜層,以使基片上僅有需設置光隔離結構的表面露出;
S2、對基片的露出表面進行噴砂處理,以形成噴砂處理面;
S3、取出基片,并除去掩膜層,清洗干凈;
S4、使用機械掩膜夾具夾持清洗干凈的基片,以使基片上僅有噴砂處理面露出;
S5、將機械掩膜夾具和基片一起放入鍍膜工件載盤,再裝入真空鍍膜系統;
S6、在噴砂處理面上鍍制黑鉻金屬膜層;
S7、在黑鉻金屬膜層上鍍制第一氧化鉻膜層;
S8、在第一氧化鉻膜層上鍍制第一二氧化硅膜層;
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