[發(fā)明專利]多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810087212.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108072924A | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周東平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B1/10 | 分類號(hào)： | G02B1/10;G02B5/02 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)婁*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬膜層 黑鉻 集成濾光片 多通道 隔離結(jié)構(gòu) 漫反射光 噴砂處理 剩余反射率 消光層 光學(xué)透過性能 工作性能 光學(xué)薄膜 基片表面 使用壽命 有效實(shí)現(xiàn) 漫反射 氧化物 粗糙 制造 隔離 | ||
1.一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括設(shè)置在基片表面的噴砂處理面，所述噴砂處理面的分布區(qū)域與多通道集成濾光片通道間的空白區(qū)域相對(duì)應(yīng)；
黑鉻金屬膜層，所述黑鉻金屬膜層設(shè)置在所述噴砂處理面上，以阻止光線通過；
還包括消光層，所述消光層由第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層組成，所述第一氧化鉻膜層設(shè)置在所述黑鉻金屬膜層上，所述第一二氧化硅膜層設(shè)置在所述第一氧化鉻膜層上，所述第二氧化鉻膜層設(shè)置在所述第一二氧化硅膜層上，所述第二二氧化硅膜層設(shè)置在所述第二氧化鉻膜層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述黑鉻金屬膜層的厚度為200-500納米，所述第一氧化鉻膜層的厚度為45-50納米，所述第一二氧化硅膜層的厚度為200-220納米，所述第二氧化鉻膜層的厚度為120-140納米，所述第二二氧化硅膜層的厚度為85-95納米。
3.一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、在基片上設(shè)置掩膜層，以使基片上僅有需設(shè)置光隔離結(jié)構(gòu)的表面露出；
S2、對(duì)基片的露出表面進(jìn)行噴砂處理，以形成噴砂處理面；
S3、取出基片，并除去掩膜層，清洗干凈；
S4、使用機(jī)械掩膜夾具夾持清洗干凈的基片，以使基片上僅有噴砂處理面露出；
S5、將機(jī)械掩膜夾具和基片一起放入鍍膜工件載盤，再裝入真空鍍膜系統(tǒng)；
S6、在噴砂處理面上鍍制黑鉻金屬膜層；
S7、在黑鉻金屬膜層上鍍制第一氧化鉻膜層；
S8、在第一氧化鉻膜層上鍍制第一二氧化硅膜層；
S9、在第一二氧化硅膜層上鍍制第二氧化鉻膜層；
S10、在第二氧化鉻膜層上鍍制第二二氧化硅膜層即得光隔離結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述基片選自玻璃、石英、藍(lán)寶石、硫化鋅、硒化鋅光學(xué)材料中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述黑鉻金屬膜層的厚度為200-500納米，所述第一氧化鉻膜層的厚度為45-50納米，所述第一二氧化硅膜層的厚度為200-220納米，所述第二氧化鉻膜層的厚度為120-140納米，所述第二二氧化硅膜層的厚度為85-95納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S2中使用壓力為0.2-0.6MPa/cm
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S6至步驟S10中采用精度為1納米的石英晶體振蕩膜層厚度控制儀控制黑鉻金屬膜層、第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S7至步驟S10中采用氧氣離子輔助鍍膜工藝輔助鍍制第一氧化鉻膜層、第一二氧化硅膜層、第二氧化鉻膜層、第二二氧化硅膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S6的實(shí)施溫度為室溫至100攝氏度，步驟S7至步驟S10的實(shí)施溫度為150攝氏度至300攝氏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多通道集成濾光片的漫反射光隔離結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S6的實(shí)施真空壓強(qiáng)不大于1x10
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