[發明專利]加熱裝置和基板處理裝置

有效

• 申請號: 201810087138.8
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108376658B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 重富賢一;七種剛;福留生將
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明涉及加熱裝置和基板處理裝置，能夠在晶圓的面內進行均勻性良好的加熱處理。在將晶圓(W)載置于熱板(23)之后的升溫期使各加熱模塊(2)以及各被加熱區域之間的晶圓(W)達到基準溫度為止的所需時間一致，使升溫過度期的溫度推移曲線的升溫曲線一致。因此，在各被加熱區域中，溫度推移曲線一致，在晶圓(W)的面內以及加熱模塊(2)之間升溫過度期內的累積熱量一致，因此晶圓(W)的圖案的線寬一致。因而，無論是在晶圓(W)的面內，還是在被互不相同的加熱模塊(2)進行處理后的晶圓(W)之間，都能夠進行均勻性良好的加熱處理。

技術領域

本發明涉及一種將基板載置于載置臺來進行加熱的技術。

背景技術

在半導體制造工藝中，在半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板上形成涂敷膜之后，將基板載置于設置有加熱器的載置臺來對該基板進行加熱處理。作為加熱處理，能夠例舉在曝光前后對形成于基板的抗蝕膜以例如100℃左右的溫度進行的處理。抗蝕圖案的線寬受各種因素影響，但作為該因素之一，能夠例舉加熱處理時的加熱溫度。

而且，由于具有藥液的熱處理溫度依賴性變高的傾向，因此加熱處理時的晶圓的熱歷史記錄中的晶圓的面內之間的差以及晶圓之間(面之間)的差對抗蝕圖案的線寬內的晶圓的面內均勻性和晶圓之間均勻性產生的影響變大。

進行加熱處理的加熱模塊構成為，將晶圓的被加熱區域分割為多個區域，針對各分割區域設置加熱器，來獨立地對各加熱器進行發熱控制。作為加熱器的控制系統的參數的調整方法，已知如下一種方法：如專利文獻1所記載的那樣進行控制，使得在多個測量點測量載置臺(熱板)的溫度時的各測量溫度與各目標溫度一致。

另外，晶圓被載置在加熱溫度穩定的熱板后，升溫至目標溫度。然而，在目標溫度相等時，在晶圓的每個被加熱區域中溫度達到目標溫度為止的溫度推移的曲線也有時彼此發生偏移而不一致。因此，存在如下問題：在各被加熱區域中升溫至達到目標溫度為止時的累積熱量不同，在每個加熱模塊或晶圓的面內，圖案的線寬不一致。

專利文獻1：日本專利第4391518號

發明內容

發明要解決的問題

本發明是基于這樣的情形而完成的，其目的在于提供一種無論是在基板的面內還是在基板之間都能夠進行均勻性良好的加熱處理的技術。

用于解決問題的方案

本發明的加熱裝置將基板載置于載置臺來進行加熱，所述加熱裝置的特征在于，具備：多個加熱器，其被設置于所述載置臺，所述多個加熱器的發熱量被彼此獨立地控制；溫度檢測部，其檢測由各加熱器加熱的被加熱區域的溫度；以及溫度控制部，其按各加熱器設置所述溫度控制部，其中，所述溫度控制部具備：調節部，其運算設定溫度與所述溫度檢測部的檢測溫度之間的偏差，并輸出對加熱器的供給電力的控制信號；加法部，其將作為工藝溫度的目標溫度與校正值相加來得到所述設定溫度；以及校正值輸出部，其輸出所述校正值，其中，所述校正值輸出部構成為，輸出規定了各經過時間的校正值的時間序列數據，使得在基板的溫度推移曲線中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的預先決定的基準時間點處的溫度變為基準溫度，其中，所述基板的溫度推移曲線是表示在加熱器的發熱量穩定的狀態下將基板載置于載置臺后所述經過時間與溫度之間的關系的曲線。