[發(fā)明專(zhuān)利]加熱裝置和基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810087138.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108376658B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 重富賢一;七種剛;福留生將 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 加熱 裝置 處理 | ||
1.一種加熱裝置,將基板載置于載置臺(tái)來(lái)進(jìn)行加熱,所述加熱裝置的特征在于,具備:
多個(gè)加熱器,其被設(shè)置于所述載置臺(tái),所述多個(gè)加熱器的發(fā)熱量被彼此獨(dú)立地控制;
溫度檢測(cè)部,其檢測(cè)由各加熱器加熱的被加熱區(qū)域的溫度;以及
溫度控制部,按各加熱器設(shè)置所述溫度控制部,
其中,所述溫度控制部具備:
調(diào)節(jié)部,其運(yùn)算設(shè)定溫度與所述溫度檢測(cè)部的檢測(cè)溫度之間的偏差,并輸出對(duì)加熱器的供給電力的控制信號(hào);
加法部,其將作為工藝溫度的目標(biāo)溫度與校正值相加來(lái)得到所述設(shè)定溫度;以及
校正值輸出部,其輸出所述校正值,
其中,所述校正值輸出部構(gòu)成為,輸出規(guī)定了各經(jīng)過(guò)時(shí)間的校正值的時(shí)間序列數(shù)據(jù),使得在基板的溫度推移曲線(xiàn)中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的預(yù)先決定的基準(zhǔn)時(shí)間點(diǎn)處的溫度變?yōu)榛鶞?zhǔn)溫度,其中,所述基板的溫度推移曲線(xiàn)是表示在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺(tái)后所述經(jīng)過(guò)時(shí)間與溫度之間的關(guān)系的曲線(xiàn),
當(dāng)將所述目標(biāo)溫度設(shè)為T(mén)1、將緊挨著將基板載置于載置臺(tái)之前的溫度設(shè)為T(mén)2時(shí),所述基準(zhǔn)溫度是從{T2+(T1-T2)×0.6}~{T2+(T1-T2)×0.99}的范圍選擇出的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置,其特征在于,
所述被加熱區(qū)域的累積熱量相對(duì)于基準(zhǔn)累積熱量收斂在±0.5%以?xún)?nèi)。
3.一種加熱裝置,將基板載置于載置臺(tái)來(lái)進(jìn)行加熱,所述加熱裝置的特征在于,具備:
多個(gè)加熱器,其被設(shè)置于所述載置臺(tái),所述多個(gè)加熱器的發(fā)熱量被彼此獨(dú)立地控制;
溫度檢測(cè)部,其檢測(cè)由各加熱器加熱的被加熱區(qū)域的溫度;以及
溫度控制部,按各加熱器設(shè)置所述溫度控制部,
其中,所述溫度控制部具備:
調(diào)節(jié)部,其運(yùn)算設(shè)定溫度與所述溫度檢測(cè)部的檢測(cè)溫度之間的偏差,并輸出對(duì)加熱器的供給電力的控制信號(hào);
加法部,其將作為工藝溫度的目標(biāo)溫度與校正值相加來(lái)得到所述設(shè)定溫度;以及
校正值輸出部,其輸出所述校正值,
其中,所述校正值輸出部構(gòu)成為,輸出規(guī)定了各經(jīng)過(guò)時(shí)間的校正值的時(shí)間序列數(shù)據(jù),使得在基板的溫度推移曲線(xiàn)中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的預(yù)先決定的基準(zhǔn)時(shí)間點(diǎn)處的溫度變?yōu)榛鶞?zhǔn)溫度,其中,所述基板的溫度推移曲線(xiàn)是表示在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺(tái)后所述經(jīng)過(guò)時(shí)間與溫度之間的關(guān)系的曲線(xiàn),
其中,所述加熱裝置具備存儲(chǔ)部,該存儲(chǔ)部針對(duì)基板的與所述多個(gè)加熱器中的各加熱器對(duì)應(yīng)的被加熱區(qū)域,按將從預(yù)先決定的第一時(shí)間點(diǎn)至第二時(shí)間點(diǎn)為止的期間分割為多個(gè)而得到的多個(gè)時(shí)間區(qū)間中的每個(gè)時(shí)間區(qū)間來(lái)存儲(chǔ)偏移值,
所述加法部構(gòu)成為,將所述目標(biāo)溫度、校正值以及所述偏移值相加,
其中,所述第一時(shí)間點(diǎn)是在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺(tái)之后的基板的溫度推移曲線(xiàn)中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的時(shí)間點(diǎn),所述第二時(shí)間點(diǎn)是所述溫度推移曲線(xiàn)中的基板達(dá)到處理溫度之后的時(shí)間點(diǎn),
所述偏移值被設(shè)定為,針對(duì)基板的與多個(gè)加熱器中的各加熱器對(duì)應(yīng)的被加熱區(qū)域,使從所述第一時(shí)間點(diǎn)至第二時(shí)間點(diǎn)為止的期間內(nèi)的累積熱量在被加熱區(qū)域之間成為一致。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱裝置,其特征在于,
所述被加熱區(qū)域的累積熱量相對(duì)于基準(zhǔn)累積熱量收斂在±0.5%以?xún)?nèi)。
5.一種基板處理裝置,具備一個(gè)或多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項(xiàng)所述的將各個(gè)基板載置于載置臺(tái)來(lái)進(jìn)行加熱的加熱裝置。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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