[發(fā)明專利]加熱裝置和基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810087138.8 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108376658B | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 重富賢一;七種剛;福留生將 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 裝置 處理 | ||
1.一種加熱裝置,將基板載置于載置臺來進行加熱,所述加熱裝置的特征在于,具備:
多個加熱器,其被設置于所述載置臺,所述多個加熱器的發(fā)熱量被彼此獨立地控制;
溫度檢測部,其檢測由各加熱器加熱的被加熱區(qū)域的溫度;以及
溫度控制部,按各加熱器設置所述溫度控制部,
其中,所述溫度控制部具備:
調節(jié)部,其運算設定溫度與所述溫度檢測部的檢測溫度之間的偏差,并輸出對加熱器的供給電力的控制信號;
加法部,其將作為工藝溫度的目標溫度與校正值相加來得到所述設定溫度;以及
校正值輸出部,其輸出所述校正值,
其中,所述校正值輸出部構成為,輸出規(guī)定了各經過時間的校正值的時間序列數(shù)據(jù),使得在基板的溫度推移曲線中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的預先決定的基準時間點處的溫度變?yōu)榛鶞蕼囟龋渲校龌宓臏囟韧埔魄€是表示在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺后所述經過時間與溫度之間的關系的曲線,
當將所述目標溫度設為T1、將緊挨著將基板載置于載置臺之前的溫度設為T2時,所述基準溫度是從{T2+(T1-T2)×0.6}~{T2+(T1-T2)×0.99}的范圍選擇出的溫度。
2.根據(jù)權利要求1所述的加熱裝置,其特征在于,
所述被加熱區(qū)域的累積熱量相對于基準累積熱量收斂在±0.5%以內。
3.一種加熱裝置,將基板載置于載置臺來進行加熱,所述加熱裝置的特征在于,具備:
多個加熱器,其被設置于所述載置臺,所述多個加熱器的發(fā)熱量被彼此獨立地控制;
溫度檢測部,其檢測由各加熱器加熱的被加熱區(qū)域的溫度;以及
溫度控制部,按各加熱器設置所述溫度控制部,
其中,所述溫度控制部具備:
調節(jié)部,其運算設定溫度與所述溫度檢測部的檢測溫度之間的偏差,并輸出對加熱器的供給電力的控制信號;
加法部,其將作為工藝溫度的目標溫度與校正值相加來得到所述設定溫度;以及
校正值輸出部,其輸出所述校正值,
其中,所述校正值輸出部構成為,輸出規(guī)定了各經過時間的校正值的時間序列數(shù)據(jù),使得在基板的溫度推移曲線中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的預先決定的基準時間點處的溫度變?yōu)榛鶞蕼囟龋渲校龌宓臏囟韧埔魄€是表示在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺后所述經過時間與溫度之間的關系的曲線,
其中,所述加熱裝置具備存儲部,該存儲部針對基板的與所述多個加熱器中的各加熱器對應的被加熱區(qū)域,按將從預先決定的第一時間點至第二時間點為止的期間分割為多個而得到的多個時間區(qū)間中的每個時間區(qū)間來存儲偏移值,
所述加法部構成為,將所述目標溫度、校正值以及所述偏移值相加,
其中,所述第一時間點是在加熱器的發(fā)熱量穩(wěn)定的狀態(tài)下將基板載置于載置臺之后的基板的溫度推移曲線中的在向基板的工藝溫度升溫的中途的時間點,所述第二時間點是所述溫度推移曲線中的基板達到處理溫度之后的時間點,
所述偏移值被設定為,針對基板的與多個加熱器中的各加熱器對應的被加熱區(qū)域,使從所述第一時間點至第二時間點為止的期間內的累積熱量在被加熱區(qū)域之間成為一致。
4.根據(jù)權利要求3所述的加熱裝置,其特征在于,
所述被加熱區(qū)域的累積熱量相對于基準累積熱量收斂在±0.5%以內。
5.一種基板處理裝置,具備一個或多個根據(jù)權利要求1~4中的任一項所述的將各個基板載置于載置臺來進行加熱的加熱裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





