[發(fā)明專(zhuān)利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810086149.4
• 申請(qǐng)日: 2018-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108109966B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北村陽(yáng)介;大石周;黃曉櫓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8244
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 馬景輝

本公開(kāi)涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法。一種制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成圖案化的第一柵極部分，使得相鄰的第一柵極部分之間具有第一間隔區(qū)域；在所述第一柵極部分之上以及所述第一間隔區(qū)域中沉積柵極材料；以及對(duì)所述柵極材料進(jìn)行選擇性刻蝕，從而形成第二柵極部分，其中所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區(qū)域中去除，從而在所述第一柵極部分與所述第二柵極部分之間形成第二間隔區(qū)域，其中所述第一間隔區(qū)域的尺寸大于所述第二間隔區(qū)域的尺寸。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器及其制造方法。

背景技術(shù)

從上個(gè)世紀(jì)50年代開(kāi)始，以電子計(jì)算機(jī)為代表的半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品快速發(fā)展和更新，按照摩爾定律，大約每24個(gè)月芯片上集成元件的數(shù)量就翻一番。半導(dǎo)體器件的密度和性能都在持續(xù)的增長(zhǎng)。半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展提高了生產(chǎn)力，改善了人們生活。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開(kāi)的第一方面，提供了一種制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，包括：在基底上形成圖案化的第一柵極部分，使得相鄰的第一柵極部分之間具有第一間隔區(qū)域；在所述第一柵極部分之上以及所述第一間隔區(qū)域中沉積柵極材料；以及對(duì)所述柵極材料進(jìn)行選擇性刻蝕，從而形成第二柵極部分，其中所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區(qū)域中去除，從而在所述第一柵極部分與所述第二柵極部分之間形成第二間隔區(qū)域，其中所述第一間隔區(qū)域的尺寸大于所述第二間隔區(qū)域的尺寸。

根據(jù)本公開(kāi)的第二方面，提供了根據(jù)上述方法制造的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

附圖說(shuō)明

構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖描述了本公開(kāi)的實(shí)施例，并且連同說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本公開(kāi)的原理。

參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本公開(kāi)，其中：

圖1示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的布局圖。

圖2是根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法的流程圖。

圖3a-圖3f示出了根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例的制造靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的柵極線(xiàn)的示意圖。

注意，在以下說(shuō)明的實(shí)施方式中，有時(shí)在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來(lái)表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說(shuō)明。在本說(shuō)明書(shū)中，使用相似的標(biāo)號(hào)和字母表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結(jié)構(gòu)的位置、尺寸及范圍等有時(shí)不表示實(shí)際的位置、尺寸及范圍等。因此，所公開(kāi)的發(fā)明并不限于附圖等所公開(kāi)的位置、尺寸及范圍等。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本公開(kāi)的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說(shuō)明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本公開(kāi)的范圍。

以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的，決不作為對(duì)本公開(kāi)及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說(shuō)明書(shū)的一部分。

在這里示出和討論的所有示例中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它示例可以具有不同的值。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)和集成電路制造工藝的發(fā)展，要求單位晶體管制造成本的不斷降低和晶體管性能的不斷提高。為了滿(mǎn)足該要求，人們?cè)O(shè)法降低半導(dǎo)體器件的幾何尺寸。隨著幾何尺寸的降低，能夠增加單位面積上的器件數(shù)目，從而降低芯片成本。此外，幾何尺寸的降低還能夠提高器件的電學(xué)性能，比如功耗、速度等。