[發明專利]靜態隨機存取存儲器及其制造方法有效
| 申請號： | 201810086149.4 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN108109966B | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發明（設計）人： | 北村陽介;大石周;黃曉櫓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8244 | 分類號： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 馬景輝 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜態 隨機存取存儲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造靜態隨機存取存儲器的方法，其特征在于，包括：
在基底上形成圖案化的第一柵極部分，使得相鄰的第一柵極部分之間具有第一間隔區域；
在所述第一柵極部分之上以及所述第一間隔區域中沉積柵極材料；以及
對所述柵極材料進行選擇性刻蝕，從而形成第二柵極部分，其中所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區域中去除，從而在所述第一柵極部分與所述第二柵極部分之間形成第二間隔區域，其中所述第一間隔區域的尺寸大于所述第二間隔區域的尺寸，
所述第一柵極部分與第二柵極部分共同構成所述靜態隨機存取存儲器的柵極線，所述第二間隔區域是相鄰的柵極線的端點之間的間隔區域。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成圖案化的第一柵極部分的步驟包括：
在所述基底上沉積一層柵極材料；以及
利用圖案化的第一掩膜對所述柵極材料進行刻蝕。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對柵極材料進行選擇性刻蝕的步驟包括：
利用圖案化的第二掩膜對柵極材料進行刻蝕，使得所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區域中去除。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對柵極材料進行選擇性刻蝕的步驟包括：
利用圖案化的第二掩膜對所述柵極材料進行刻蝕，使得所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區域中去除。
5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，在利用圖案化的第二掩膜對所述柵極材料進行刻蝕的步驟中，還使得覆蓋在所述第一柵極部分上的柵極材料的至少一部分被去除。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，第一柵極部分與第二柵極部分由相同的柵極材料構成。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極材料是半導體或金屬。
8.根據權利要求1-7中任一項所述的方法制造的靜態隨機存取存儲器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
