[發(fā)明專利]一種模組結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

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• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108133931A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何軍;其他發(fā)明人請求不公開姓名
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽安努奇科技有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明提供了一種模組結(jié)構(gòu)及其制作方法，該模組結(jié)構(gòu)，包括：基底、至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片；至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片位于基底的同一側(cè)，無源器件位于基底與金屬柱和芯片所在膜層之間；芯片在基底上的垂直投影與金屬柱在基底上的垂直投影構(gòu)成的線段或圖形存在交疊區(qū)域；無源器件在基底上的垂直投影與金屬柱在基底上的垂直投影構(gòu)成的線段或圖形存在交疊區(qū)域；和/或，無源器件在基底上的垂直投影與芯片在基底上的垂直投影存在交疊區(qū)域。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，減小了模組結(jié)構(gòu)的面積，提高了模組結(jié)構(gòu)的空間利用率，有利于實(shí)現(xiàn)模組結(jié)構(gòu)高度集成化的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及集成電路模組技術(shù)，尤其涉及一種模組結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品的日益發(fā)展，各類元器件的研發(fā)都朝著高集成化、多功能的方向發(fā)展，因此，對集成器件的集成電路模組結(jié)構(gòu)的要求也在日益提高。

在集成電路的模組結(jié)構(gòu)中會存在多種元件，例如，功放、低噪放、開關(guān)、聲波濾波器等芯片和電容、電感等無源器件，一般情況下，這些元件均平鋪在模組結(jié)構(gòu)的基底上，這些平鋪設(shè)置的元件會增大模組結(jié)構(gòu)的面積，使集成電路模組結(jié)構(gòu)的空間利用率較低，不利于實(shí)現(xiàn)集成電路模組結(jié)構(gòu)的高度集成化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種模組結(jié)構(gòu)及其制作方法，以降低模組結(jié)構(gòu)的面積，提高模組結(jié)構(gòu)的空間利用率，以實(shí)現(xiàn)模組結(jié)構(gòu)高度集成化的目的。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提出一種模組結(jié)構(gòu)，包括：基底、至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片；

所述至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片位于所述基底的同一側(cè)，所述至少一個無源器件位于所述基底與所述至少兩個金屬柱和所述至少一個芯片所在膜層之間；

所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構(gòu)成的線段或圖形存在交疊區(qū)域；

所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構(gòu)成的線段或圖形存在交疊區(qū)域；和/或，所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影存在交疊區(qū)域。

可選的，單個所述金屬柱形成電感或者至少部分所述金屬柱之間相互電連接形成電感線圈。

可選的，所述的模組結(jié)構(gòu)，還包括：

第一介電層，所述第一介電層覆蓋或包裹所述無源器件；

第二介電層，所述第二介電層位于所述第一介電層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，所述第二介電層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面與所述金屬柱遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面平齊，或者所述第二介電層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面低于或高于所述金屬柱遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面；

第三介電層，所述第三介電層位于所述第二介電層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，所述第三介電層覆蓋所述第二介電層。

可選的，所述無源器件包括電容、電阻或者電感之間的至少一種。

可選的，所述的模組結(jié)構(gòu)，還包括：

位于所述第一介電層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的第一連接層；

位于所述第二介電層遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的第二連接層。

可選的，所述第一介電層中形成有第一過孔，所述第一過孔中形成有第一導(dǎo)電材料，所述無源器件與所述金屬柱和/或所述芯片通過所述第一導(dǎo)電材料及所述第一連接層電連接；

所述第二介電層中形成有第二過孔，所述第二過孔中形成有第二導(dǎo)電材料，所述金屬柱與所述芯片通過所述第二導(dǎo)電材料及所述第二連接層電連接。

可選的，所述芯片包括至少一個接口，所述接口位于所述芯片靠近所述基底一側(cè)的表面或遠(yuǎn)離所述基底一側(cè)的表面。