[發明專利]一種模組結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201810085331.8
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108133931A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 何軍;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 安徽安努奇科技有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L21/50
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種模組結構，其特征在于，包括：基底、至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片；

所述至少一個無源器件、至少兩個金屬柱和至少一個芯片位于所述基底的同一側，所述至少一個無源器件位于所述基底與所述至少兩個金屬柱和所述至少一個芯片所在膜層之間；

所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構成的線段或圖形存在交疊區域；

所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構成的線段或圖形存在交疊區域；和/或，所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影存在交疊區域。

2.根據權利要求1所述的模組結構，其特征在于，單個所述金屬柱形成電感或者至少部分所述金屬柱之間相互電連接形成電感線圈。

3.根據權利要求1所述的模組結構，其特征在于，還包括：

第一介電層，所述第一介電層覆蓋或包裹所述無源器件；

第二介電層，所述第二介電層位于所述第一介電層遠離所述基底的一側，所述第二介電層遠離所述基底一側的表面與所述金屬柱遠離所述基底一側的表面平齊，或者所述第二介電層遠離所述基底一側的表面低于或高于所述金屬柱遠離所述基底一側的表面；

第三介電層，所述第三介電層位于所述第二介電層遠離所述基底的一側，所述第三介電層覆蓋所述第二介電層。

4.根據權利要求1所述的模組結構，其特征在于，所述無源器件包括電容、電阻或者電感之間的至少一種。

5.根據權利要求3所述的模組結構，其特征在于，還包括：

位于所述第一介電層遠離所述基底一側的第一連接層；

位于所述第二介電層遠離所述基底一側的第二連接層。

6.根據權利要求5所述的模組結構，其特征在于，所述第一介電層中形成有第一過孔，所述第一過孔中形成有第一導電材料，所述無源器件與所述金屬柱和/或所述芯片通過所述第一導電材料及所述第一連接層電連接；

所述第二介電層中形成有第二過孔，所述第二過孔中形成有第二導電材料，所述金屬柱與所述芯片通過所述第二導電材料及所述第二連接層電連接。

7.根據權利要求1所述的模組結構，其特征在于，所述芯片包括至少一個接口，所述接口位于所述芯片靠近所述基底一側的表面或遠離所述基底一側的表面。

8.根據權利要求7所述的模組結構，其特征在于，所述接口位于所述芯片遠離所述基底一側的表面時，所述模組結構還包括：

支撐層，所述支撐層位于所述芯片與所述基底之間，用于減小所述接口與所述金屬柱遠離所述基底一側的端面之間的垂直距離。

9.一種模組結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上設置至少一個無源器件；

在所述至少一個無源器件遠離所述基底的一側設置至少兩個金屬柱和至少一個芯片；

其中，所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構成的線段或圖形存在交疊區域；

所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少兩個金屬柱在所述基底上的垂直投影構成的線段或圖形存在交疊區域；和/或，所述至少一個無源器件在所述基底上的垂直投影與所述至少一個芯片在所述基底上的垂直投影存在交疊區域。

10.根據權利要求9所述的模組結構的制作方法，其特征在于，在所述至少一個無源器件遠離所述基底的一側設置至少兩個金屬柱和至少一個芯片，包括：

在所述基底靠近所述無源器件的一側形成第一介電層，所述第一介電層覆蓋或包裹所述無源器件，所述第一介電層中形成有第一過孔，所述第一過孔中形成有第一導電材料；

在所述第一介電層遠離所述無源器件的一側設置至少兩個金屬柱和至少一個芯片。