[發明專利]閃存的制造方法

有效

• 申請號: 201810084833.9
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108364952B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 張金霜;陳昊瑜;王奇偉;姬峰;秦佑華
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種閃存的制造方法，其特征在于，閃存包括存儲區和外圍電路區，所述存儲區包括由多個閃存單元排列形成的閃存單元陣列；所述閃存的存儲區的制造步驟包括：

步驟一、在所述存儲區中形成有源區并完成所述閃存單元的柵極結構和源區的制作；

各所述閃存單元的柵極結構包括由第一柵氧化層、多晶硅浮柵、第二控制柵介質層和多晶硅控制柵形成的疊加結構；

在所述閃存單元陣列中，所述有源區由形成于硅襯底表面的場氧隔離，各所述有源區呈條形結構并平行排列；同一行的各所述閃存單元的所述多晶硅控制柵連接在一起并組成多晶硅行；

各所述多晶硅行和所述有源區的交疊區域為所述閃存單元的柵極結構的形成區域，所述多晶硅浮柵位于所述閃存單元的柵極結構的形成區域中；

所述閃存單元的源區位于相鄰的兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述硅襯底中，同一行的各所述閃存單元的源區的底部都連接到同一根源區行線；

相鄰的兩個所述多晶硅行的第二側之間的區域為所述閃存單元的漏區形成區，兩個所述多晶硅行的第一側之間間距小于兩個所述多晶硅行的第二側之間間距；

步驟二、采用生長和全面刻蝕工藝形成在所述多晶硅行的兩側形成第一道側墻，所述第一道側墻由第一氧化層、第二氮化層和第三氧化層疊加而成，控制所述第一道側墻的生長厚度使刻蝕后兩個所述多晶硅行的第一側之間依然具有間距；

步驟三、生長第四氮化層，所述第四氮化層將兩個所述多晶硅行的第一側之間的間距完全填充；

步驟四、采用所述源區的光罩進行光刻形成第一光刻膠圖形，所述第一光刻膠圖形將所述源區頂部的兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述第四氮化層保護，所述源區之外的所述第四氮化層的表面打開；之后，以所述第一光刻膠圖形為掩膜對所述第四氮化層進行刻蝕在各所述多晶硅行的第二側形成第二道側墻，各所述多晶硅行的第二側的第一道側墻和第二道側墻疊加形成所需要厚度的側墻結構，之后去除所述第一光刻膠圖形；

步驟五、在所述存儲區進行第一次源漏注入在兩個所述多晶硅行的第二側之間的所述有源區中形成所述閃存單元的漏區，所述閃存單元的漏區和對應的所述多晶硅行的第二側的所述第二道側墻的側面自對準，所述側墻結構的厚度用于定義所述閃存單元的漏區和所述多晶硅行的第二側之間的間距且所述側墻結構的厚度的兩倍大于兩個所述多晶硅行的第一側之間的間距使得兩個所述多晶硅行的第一側之間的間距被完全填充；所述源區的底部被填充于兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述第四氮化層和所述第一道側墻保護而不受所述第一次源漏注入的影響；

步驟六、沉積第五氧化硅層將兩個所述多晶硅行的第二側之間的間距完全填充；采用所述有源區的光罩進行光刻定義并對所述第五氧化硅層進行刻蝕將兩個所述多晶硅行的第二側間隔和所述有源區交疊區中的所述第五氧化硅層去除并將所述硅襯底表面露出；

步驟七、采用所述源區的光罩進行光刻形成第二光刻膠圖形，所述第二光刻膠圖形將所述源區頂部的兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述第四氮化層表面打開，所述源區之外的區域覆蓋；以所述第二光刻膠圖形為掩膜將所述源區頂部的兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述第四氮化層去除并將所述硅襯底表面露出；

步驟八、同時在兩個所述多晶硅行的第一側之間的所述源區表面以及在兩個所述多晶硅行的第二側之間的所述漏區表面形成金屬硅化物；

步驟九、形成層間膜，所述層間膜將兩個所述多晶硅行的第一側之間的間隔完全填充以及將兩個所述多晶硅行的第二側之間的間隔完全填充并覆蓋各所述多晶硅行的頂部；

步驟十、形成接觸孔，正面金屬層，對所述正面金屬層進行圖形化形成字線、位線和源線，各所述多晶硅行通過接觸孔連接到對應行的所述字線，各所述閃存單元的所述漏區通過對應的接觸孔連接到對應列的所述位線，各所述源區行線通過接觸孔連接到對應行的所述源線。