[發明專利]襯底載體劣化檢測及修復有效
| 申請號: | 201810084030.3 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN109712867B | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 王仁地;林志威;黎輔憲;陳奕明;洪正和 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 載體 檢測 修復 | ||
1.一種用于半導體制造的方法,包括:
接收在內部具有多個晶圓的載體;
向所述載體的入口供應凈化氣體;
從所述載體的出口將排出氣體抽出;以及
在執行所述凈化氣體的供應和所述排出氣體的抽出的同時,生成所述載體的健康指示器,當所述健康指示器指示出所述載體需要修復時,進一步包括:
將多個晶圓從所述載體移除;以及
通過高架傳輸(OHT)將所述載體調度至載體修復站,
其中,所述健康指示器的生成基于以下條件中的一個或多個:(a)所述載體內部的氣壓的測量與預設范圍的比較,(b)所述排出氣體的濕度的測量與預設范圍的比較,(c)所述排出氣體的流速的測量與預設范圍的比較,以及(d)所述排出氣體中的顆粒的測量與預設范圍的比較。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述健康指示器的生成包括:
讀取由在所述載體內部安裝的壓力傳感器測量的氣壓值;
將所述氣壓值與預設氣壓范圍比較;以及
當所述氣壓值在所述預設氣壓范圍之外時指示出所述載體需要修復。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述健康指示器的生成包括:
讀取由鄰近所述載體的所述出口安裝的濕度傳感器測量的所述排出氣體的濕度值;
將所述濕度值與預設濕度范圍比較;以及
當所述濕度值在所述預設濕度范圍之外時指示出所述載體需要修復。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述健康指示器的生成包括:
測量所述排出氣體的流速;
將所述流速與預設流速范圍比較;以及
當所述流速在所述預設流速范圍之外時指示出所述載體需要修復。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述健康指示器的生成包括:
測量所述排出氣體中攜帶的顆粒的尺寸;
將所述尺寸與尺寸閾值比較;以及
當所述尺寸中的一種超出所述尺寸閾值時指示出所述載體需要修復。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,所述健康指示器的生成包括:
測量所述排出氣體中攜帶的顆粒的數量;
將所述數量與數量閾值比較;以及
當所述數量超出所述數量閾值時指示出所述載體需要修復。
7.根據權利要求1所述的方法,進一步包括:
通過所述載體修復站接收所述載體;
通過第一機動化工具將所述載體的所述入口處的入口過濾器置換為新的入口過濾器;
通過第二機動化工具將所述載體的所述出口處的出口過濾器置換為新的出口過濾器;
通過第三機動化工具檢查新的入口過濾器和新的出口過濾器。
8.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在所述新的入口過濾器和所述新的出口過濾器都通過所述檢查的條件下,通過所述高架傳輸將具有所述新的入口過濾器和所述新的出口過濾器的所述載體調度至處理工具。
9.根據權利要求7所述的方法,進一步包括:
在所述新的入口過濾器和所述新的出口過濾器中的一個未通過所述檢查的條件下,將所述新的入口過濾器和所述新的出口過濾器中的所述一個置換為置換過濾器;以及
檢查所述置換過濾器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司,未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810084030.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶圓的清洗方法
- 下一篇:基于氧化鋁材料內嵌納米晶結構的鐵電薄膜制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





