[發明專利]SRAM存儲器

有效

• 申請號: 201810083598.3
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN110097907B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 陳根華;王林
• 申請（專利權）人: 展訊通信（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種SRAM存儲器，其特征在于，包括：多個區塊，區塊個數滿足2的指數函數，每個所述區塊的存儲單元均為單端八管SRAM單元，每個所述區塊的讀位線的條數相同，每個所述區塊的全部讀位線均設置有對應的控制信號線，各條讀位線分別與各自對應的控制信號線在布線時相鄰鋪設且方向平行，以使相對應的讀位線和控制信號線之間通過線電容進行耦合，當所述控制信號線接入控制信號時，在控制信號的作用下，所述控制信號線通過與對應的讀位線之間的線電容耦合關系，在進行讀操作時將對應的讀位線的電位觸發到一個電壓值；

相鄰的兩個區塊相互配合，相互配合的兩個區塊共用一組差分放大器，差分放大器的個數與每個所述區塊的讀位線的條數相同，所述差分放大器的第一輸入端連接至其中一個區塊的一條讀位線，所述差分放大器的第二輸入端連接至另一個區塊的與所述第一輸入端所連接的讀位線位置相對應的一條讀位線，所述差分放大器用于數據讀取時，當與所述差分放大器連接的其中一條讀位線上的SRAM單元被選中，輸出所述SRAM單元存儲的數據。

2.根據權利要求1所述的SRAM存儲器，其特征在于，所述控制信號線和對應的讀位線在布線時都布置在金屬層。

3.根據權利要求1所述的SRAM存儲器，其特征在于，對于相互配合的兩個區塊，其中一個區塊被選中的讀取數據的位線作為工作位線，與所述工作位線位置相對應的另一個區塊中的讀位線作為參考位線，當工作位線電位高于參考位線電位時，差分放大器輸出高電平，當工作位線電位低于參考位線電位時，差分放大器輸出低電平。

4.根據權利要求1所述的SRAM存儲器，其特征在于，每個所述區塊中相對應的讀位線和控制信號線之間的線電容隨著所述區塊中的存儲陣列的大小變化而變化。