[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810083321.0
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108417557B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 菅長利文
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;董典紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

接觸插塞，形成在半導(dǎo)體襯底上方；

第一布線，耦合到所述接觸插塞的上表面；和

狹縫，形成在所述第一布線中，并且在頂視圖中被所述第一布線包圍，

其中所述接觸插塞形成在所述第一布線的端部處，并且所述狹縫形成在頂視圖中在第一方向上與所述接觸插塞分開的位置處，

其中在所述第一方向上的所述第一布線的所述端部的邊緣與所述狹縫的在所述接觸插塞側(cè)上的邊緣之間的距離大于或等于頂視圖中在所述第一方向上的所述接觸插塞的上表面的第一直徑且小于或等于所述第一直徑的兩倍，以及

其中在所述狹縫中不存在布線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線的側(cè)表面傾斜，使得所述第一布線在所述第一方向上的寬度從所述第一布線的上表面向所述第一布線的下表面減小，以及

其中所述接觸插塞的上表面的一半以上與所述第一布線接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線的下表面形成至比所述接觸插塞的上表面低的位置，以及

其中所述接觸插塞的每個側(cè)表面的一部分與所述第一布線接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中頂視圖中所述狹縫在與所述第一方向正交的第二方向上的長度至少是頂視圖中所述接觸插塞的上表面在所述第二方向上的第二直徑的2.5倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線的側(cè)表面傾斜，使得所述第一布線在所述第一方向上的寬度從所述第一布線的上表面向所述第一布線的下表面減小，

其中所述接觸插塞的上表面的一半以上與所述第一布線接觸，

其中頂視圖中所述狹縫在與所述第一方向正交的第二方向上的長度至少是頂視圖中所述接觸插塞的上表面在所述第二方向上的第二直徑的2.5倍，

其中所述第一布線的側(cè)表面具有在所述第一方向上形成所述狹縫的第一區(qū)域和在所述第一方向上未形成所述狹縫的第二區(qū)域，以及

其中所述第一區(qū)域中的所述第一布線的側(cè)表面的傾斜度小于所述第二區(qū)域中的所述第一布線的側(cè)表面的傾斜度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線的上表面在所述第一方向上的寬度至少是所述第一直徑的2.5倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一直徑是70nm或更小。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中頂視圖中所述狹縫在所述第一方向上的寬度等于或大于所述第一直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一布線具有在所述第一方向上從所述第一布線的端部突出的突出部分，以及

其中所述接觸插塞耦合到所述突出部分中的所述第一布線。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述突出部分的上表面在所述第一方向上的長度等于或小于所述第一直徑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一絕緣膜，形成在所述半導(dǎo)體襯底上方；

接觸孔，形成在所述第一絕緣膜中并到達所述半導(dǎo)體襯底；

第二絕緣膜，形成在所述第一絕緣膜上方；和

布線槽，形成在所述第二絕緣膜中，

其中所述接觸插塞通過將第一導(dǎo)電膜嵌入所述接觸孔而形成，

其中所述第一布線通過將第二導(dǎo)電膜嵌入所述布線槽中而形成，以及

其中所述狹縫是其中所述第二絕緣膜保留的區(qū)域，并且是在平面圖中由所述第二導(dǎo)電膜圍繞的區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第一導(dǎo)電膜包含鎢，以及

其中所述第二導(dǎo)電膜包含銅。