[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810083257.6
• 申請日: 2018-01-29
• 公開（公告）號: CN108630686B
• 公開（公告）日: 2022-12-13
• 發明（設計）人: 金范庸;李勛;吉德信
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 郭放;許偉群

1.一種制造半導體器件的方法，其包括：

形成具有高寬高比的底電極；

通過在底電極的表面上順序地執行第一等離子體工藝和第二等離子體工藝來形成界面層；

在界面層之上形成電介質層；以及

在電介質層之上形成頂電極，

其中，底電極包括下底電極和上底電極，以及

第一等離子體工藝局部氮化上底電極的表面，以及

第二等離子體工藝氧化下底電極和上底電極的氮化表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成界面層的步驟包括：

在低壓下在離子等離子體主導的氛圍中執行第一等離子體工藝，以及

在高壓下在自由基等離子體主導的氛圍中執行第二等離子體工藝。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在比執行第一等離子體工藝的壓力更高的壓力下執行第二等離子體工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，第二等離子體工藝在比1托更高的壓力下執行，以及第一等離子體工藝在比100毫托更低的壓力下執行。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成界面層的步驟包括：

在低壓下在氮離子等離子體主導的氛圍中執行第一等離子體工藝，以及

在高壓下在氧自由基等離子體主導的氛圍中執行第二等離子體工藝。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，第一等離子體工藝包括低壓等離子體氮化，以及

第二等離子體工藝包括高壓等離子體氧化。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，底電極包括具有1:10的寬高比的圓筒形。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，底電極包括具有1:10的寬高比的柱形。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，底電極包括金屬氮化物。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，底電極包括氮化鈦或氮化鉭。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，界面層包括金屬氧化物。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，界面層包括氧化鈦或氧化鉭。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，電介質層包括ZAZ（ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂）或者HAH（HfO₂/Al₂O₃/HfO₂）。

14.一種制造半導體器件的方法，其包括：

在下結構之上形成模具層；

通過刻蝕模具層來形成開口；

在開口內部形成包括金屬氮化物的底電極；

通過去除模具層來暴露出底電極；

通過將底電極順序地暴露于低壓等離子體氮化工藝和高壓等離子體氧化工藝而在底電極之上形成界面層；

在界面層之上形成電介質層；以及

在電介質層之上形成頂電極，

其中，底電極包括下底電極和上底電極，以及

低壓等離子體氮化工藝局部氮化上底電極的表面，以及

高壓等離子體氧化工藝氧化下底電極和上底電極的氮化表面。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，低壓等離子體氮化工藝在低壓下在氮離子等離子體主導的氛圍中執行，以及

高壓等離子體氧化工藝在高壓下在氧自由基等離子體主導的氛圍中執行。